Leistungsdichte 

Mehr Leistung auf engerem Raum mit verbesserter Systemfunktionalität und reduzierten Systemkosten

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Welche Technologien ermöglichen eine höhere Dichte?

Mit zunehmenden Leistungsanforderungen erweisen sich die Platinenfläche und die Höhe als begrenzende Faktoren. Entwickler von Stromversorgungen müssen eine größere Schaltungsdichte in ihren Anwendungen unterbringen – nicht nur, um sich mit ihren Produkten abzuheben, sondern auch deren Effizienz und thermische Leistung zu verbessern. Die fortschrittlichen Prozess-, Gehäuse-, und Schaltkreisdesign-Technologien von TI ermöglichen höhere Leistungsniveaus auf kleineren Formfaktoren.

Abwägung der Vor- und Nachteile und Beschreibung der Technologien zur Verbesserung der Leistungsdichte

Platzbedarf in Stromversorgungsdesigns ist begrenzt, und Techniker stehen unter ständigem Druck, mit weniger mehr zu erreichen. Es ist klar, dass die Leistungsdichte in Anwendungen erhöht werden muss, aber was genau hält Entwickler davon ab, die Leistungsdichte zu erhöhen? In diesem Dokument werden die Probleme, die bei der Erhöhung der Leistungsdichte auftreten, untersucht und Technologiebeispiele bereitgestellt, die Designern dabei helfen können, diese Hindernisse zu überwinden.

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Vorteile der TI-Technologien für Leistungsdichte

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Geringerer Platzbedarf, weniger Wärme

Sparen Sie Platz auf der Platine – mit hochleistungsfähigen Baustein-Optionen, die einzigartige Integrationstechniken und FETs mit extrem niedrigem RDSON und geringem RSP für kleinere Die-Größen kombinieren.

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Verbesserte thermische Leistung

Halten Sie das Gehäuse kühl – mit fortschrittlichen Kühltechnologien wie dem verbessertem HotRod™ QFN-Gehäuse, Chip-Scale-Gehäuse für Power-Wafer (WCSP) und Top-Side-Kühlung.

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Erhöhter Wirkungsgrad

Verwenden Sie kleinere passive Bauelemente, während Sie mit Multilevel-Wandlertopologien und fortschrittlichen Leistungsstufengate-Treibern bei höheren Frequenzen schalten, ohne dabei den Wirkungsgrad zu beeinträchtigen.

Drei Möglichkeiten zur Bewältigung thermischer Herausforderungen

TI ist Ihr Partner, wenn es um Herausforderungen im Bereich der Leistungsdichte geht – von Schaltungsdesign über Gehäuse-Forschung und -Entwicklung bis hin zu thermisch optimierten Systemdesigns und mehr. Erfahren Sie mehr über unseren facettenreichen Ansatz zur Realisierung kleinerer, leistungsfähigerer ICs.
 

Empfohlene Produkte zur Leistungsdichte

Neu Gallium nitride (GaN) ICs LMG2100R044 ACTIVE 100-V 4.4-mΩ half-bridge GaN FET with integrated driver and protection
Neu Isolated DC/DC converters & modules UCC33420-Q1 PREVIEW Automotive, 5V/5V 1.5W 3kVrms isolated DC-DC module with integrated transformer
Neu Buck converters (integrated switch) TPS62876-Q1 ACTIVE Automotive 2.7-V to 6-V input, 25-A, stackable, synchronous buck converter
Gallium nitride (GaN) ICs LMG2610 ACTIVE 650-V 170/248-mΩ GaN half-bridge for ACF with integrated driver, protection and current sense
Neu High-side switches TPS274C65 ACTIVE 12-V to 36-V 65-mΩ four-channel high-side switch with SPI interface and integrated ADC
Isolated DC/DC converters & modules UCC12041-Q1 ACTIVE Automotive, 500-mW, 3-kVrms isolated DC/DC module with integrated transformer

Empfohlene Referenzdesigns für Leistungsdichte

Reference design
GaN-based, 6.6-kW, bidirectional, onboard charger reference design
The PMP22650 reference design is a 6.6-kW, bidirectional, onboard charger. The design employs a two-phase totem pole PFC and a full-bridge CLLLC converter with synchronous rectification. The CLLLC utilizes both frequency and phase modulation to regulate the output across the required regulation (...)
Reference design
High-power, high-performance automotive SiC traction inverter reference design

TIDM-02014 is a 800-V, 300kW SiC-based traction inverter system reference design developed by Texas Instruments and Wolfspeed provides a foundation for OEMs and design engineers to create high-performance, high-efficiency traction inverter systems and get to market faster. This solution (...)

Reference design
Variable-frequency, ZVS, 5-kW, GaN-based, two-phase totem-pole PFC reference design
This reference design is a high-density and high-efficiency 5-kW totem-pole power factor correction (PFC) design. The design uses a two-phase totem-pole PFC operating with variable frequency and zero voltage switching (ZVS). The control uses a new topology and improved triangular current mode (...)

Leistungsdichte im Detail

Jede technische Weiterentwicklung erfordert mehr Leistung auf kleinerem Raum. Das ist das Leistungsdichteversprechen – kleinere Gehäuse, höherer Strom, weniger Kompromisse. Erfahren Sie, wie wir die Dichte in den kommenden Jahren erhöhen werden.

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Erfahren Sie mehr über diese anderen Trends im Bereich Stromversorgung

Erhöhte Sicherheit mit höchster Betriebsspannung und Zuverlässigkeit.

Längere Batterielaufzeit und Lagerdauer ohne Einbußen bei der Systemleistung.

Geringere Systemkosten und schnelle Einhaltung der EMI-Normen durch Verringerung der Störstrahlungen.

Verbessern Sie die Stromversorgungs- und Signalintegrität, um den Schutz und die Genauigkeit auf Systemebene zu erhöhen.