Leistungsdichte 

Mehr Leistung auf engerem Raum mit verbesserter Systemfunktionalität und reduzierten Systemkosten

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Welche Technologien ermöglichen eine höhere Dichte?

Mit zunehmenden Leistungsanforderungen erweisen sich die Platinenfläche und die Höhe als begrenzende Faktoren. Entwickler von Stromversorgungen müssen eine größere Schaltungsdichte in ihren Anwendungen unterbringen – nicht nur, um sich mit ihren Produkten abzuheben, sondern auch deren Effizienz und thermische Leistung zu verbessern. Die fortschrittlichen Prozess-, Gehäuse-, und Schaltkreisdesign-Technologien von TI ermöglichen höhere Leistungsniveaus auf kleineren Formfaktoren.

Vorteile der TI-Technologien für Leistungsdichte

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Geringerer Platzbedarf, weniger Wärme

Sparen Sie Platz auf der Platine – mit hochleistungsfähigen Baustein-Optionen, die einzigartige Integrationstechniken und FETs mit extrem niedrigem RDSON und geringem RSP für kleinere Die-Größen kombinieren.

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Verbesserte thermische Leistung

Halten Sie das Gehäuse kühl – mit fortschrittlichen Kühltechnologien wie dem verbessertem HotRod™ QFN-Gehäuse, Chip-Scale-Gehäuse für Power-Wafer (WCSP) und Top-Side-Kühlung.

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Erhöhter Wirkungsgrad

Verwenden Sie kleinere passive Bauelemente, während Sie mit Multilevel-Wandlertopologien und fortschrittlichen Leistungsstufengate-Treibern bei höheren Frequenzen schalten, ohne dabei den Wirkungsgrad zu beeinträchtigen.

Drei Möglichkeiten zur Bewältigung thermischer Herausforderungen

TI ist Ihr Partner, wenn es um Herausforderungen im Bereich der Leistungsdichte geht – von Schaltungsdesign über Gehäuse-Forschung und -Entwicklung bis hin zu thermisch optimierten Systemdesigns und mehr. Erfahren Sie mehr über unseren facettenreichen Ansatz zur Realisierung kleinerer, leistungsfähigerer ICs.
 

Empfohlene Produkte zur Leistungsdichte

Neu eFuses & hot swap controllers TPS25985 ACTIVE 4.5-V to 16-V, 0.59-mΩ, 80-A stackable compact eFuse with accurate and fast current monitor
Neu Buck modules (integrated inductor) TLVM13660 ACTIVE 36-V input, 1-V to 6-V output, 6-A buck power module in 5-mm x 5.5-mm enhanced HotRod™ QFN
Neu Buck converters (integrated switch) TPS566242 ACTIVE 3-V to 16-V input voltage, 6-A ECO mode, synchronous buck converter in SOT-563 package
Gallium nitride (GaN) ICs LMG3522R030-Q1 PREVIEW Automotive 650-V 30-mΩ GaN FET with integrated driver, protection and temperature reporting

Empfohlene Referenzdesigns für Leistungsdichte

Reference design
GaN-based, 6.6-kW, bidirectional, onboard charger reference design
The PMP22650 reference design is a 6.6-kW, bidirectional, onboard charger. The design employs a two-phase totem pole PFC and a full-bridge CLLLC converter with synchronous rectification. The CLLLC utilizes both frequency and phase modulation to regulate the output across the required regulation (...)
Reference design
Integrated USB Type-C® power delivery (PD) and charging reference design for 2-4 cell batteries

This reference design features charging up to 20 V at 5 A without the need for any external FETs, enabling a much smaller solution size and reducing total BOM cost. A microprocessor is also not necessary as the TPS25750 power delivery (PD) controller will handle the I2C communication to the BQ25792 (...)

Reference design
Variable-frequency, ZVS, 5-kW, GaN-based, two-phase totem-pole PFC reference design
This reference design is a high-density and high-efficiency 5-kW totem-pole power factor correction (PFC) design. The design uses a two-phase totem-pole PFC operating with variable frequency and zero voltage switching (ZVS). The control uses a new topology and improved triangular current mode (...)

Leistungsdichte im Detail

Jede technische Weiterentwicklung erfordert mehr Leistung auf kleinerem Raum. Das ist das Leistungsdichteversprechen – kleinere Gehäuse, höherer Strom, weniger Kompromisse. Erfahren Sie, wie wir die Dichte in den kommenden Jahren erhöhen werden.

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Erfahren Sie mehr über diese anderen Trends im Bereich Stromversorgung

Erhöhte Sicherheit mit höchster Betriebsspannung und Zuverlässigkeit.

Längere Batterielaufzeit und Lagerdauer ohne Einbußen bei der Systemleistung.

Geringere Systemkosten und schnelle Einhaltung der EMI-Normen durch Verringerung der Störstrahlungen.

Verbessern Sie die Stromversorgungs- und Signalintegrität, um den Schutz und die Genauigkeit auf Systemebene zu erhöhen.