Leistungsdichte

Welche Technologien ermöglichen eine höhere Dichte?

Mit zunehmenden Leistungsanforderungen erweisen sich die Platinenfläche und die Höhe als begrenzende Faktoren. Entwickler von Stromversorgungen müssen eine größere Schaltungsdichte in ihren Anwendungen unterbringen – nicht nur, um sich mit ihren Produkten abzuheben, sondern auch deren Effizienz und thermische Leistung zu verbessern. Die fortschrittlichen Prozess-, Gehäuse-, und Schaltkreisdesign-Technologien von TI ermöglichen höhere Leistungsniveaus auf kleineren Formfaktoren.

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Vorteile der TI-Technologien für Leistungsdichte

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Geringerer Platzbedarf, weniger Wärme

Sparen Sie Platz auf der Platine – mit hochleistungsfähigen Baustein-Optionen, die einzigartige Integrationstechniken und FETs mit extrem niedrigem RDSON und geringem RSP für kleinere Die-Größen kombinieren.

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Verbesserte thermische Leistung

Halten Sie das Gehäuse kühl – mit fortschrittlichen Kühltechnologien wie dem verbessertem HotRod™ QFN-Gehäuse, Chip-Scale-Gehäuse für Power-Wafer (WCSP) und Top-Side-Kühlung.

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Erhöhter Wirkungsgrad

Verwenden Sie kleinere passive Bauelemente, während Sie mit Multilevel-Wandlertopologien und fortschrittlichen Leistungsstufengate-Treibern bei höheren Frequenzen schalten, ohne dabei den Wirkungsgrad zu beeinträchtigen.

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Weitere Informationen zum Ermöglichen verbesserter Leistungsdichte

Videoreihe

Leistungsdichte im Detail

Jede technische Weiterentwicklung erfordert mehr Leistung auf kleinerem Raum. Das ist das Leistungsdichteversprechen – kleinere Gehäuse, höherer Strom, weniger Kompromisse. Erfahren Sie, wie wir die Dichte in den kommenden Jahren erhöhen werden.

Sehen Sie sich die Videoreihe an

White paper

Abwägung der Vor- und Nachteile und Beschreibung der Technologien zur Verbesseru (Rev. C)

Platzbedarf in Stromversorgungsdesigns ist begrenzt, und Techniker stehen unter ständigem Druck, mit weniger mehr zu erreichen. In diesem Dokument werden die Probleme, die für Entwickelnde bei der Erhöhung der Leistungsdichte auftreten, untersucht und Technologiebeispiele bereitgestellt, die dabei helfen können, diese Hindernisse zu überwinden.

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Technical article

Managing thermals: 3 ways to break through power-density barriers

TI ist Ihr Partner, wenn es um Herausforderungen im Bereich der Leistungsdichte geht – von Schaltkresidesign bis hin zu thermischoptimierten Systemdesigns und mehr. Erfahren Sie mehr über unseren facettenreichen Ansatz zur Realisierung kleinerer, leistungsfähigerer ICs.

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Referenzdesign

Referenzdesign für bidirektionales Bordladegerät auf GaN-Basis, 6,6 kW

Das Referenzdesign PMP22650 ist ein bidirektionales 6,6-kW-Bordladegerät. Das Design benützt einen zweiphasigen Totem-Pole-PFC und einen Vollbrücken-CLLLC-Wandler mit synchroner Gleichrichtung. Der CLLLC verwendet sowohl Frequenz- als auch Phasenmodulation, um den Ausgang über den erforderlichen (...)

Referenzdesign

Referenzdesign für hochleistungsfähigen SiC-Traktionsinverter für die Automobilindustrie

Das TIDM-02014 ist ein 800-V-, 300-kW-SiC-basiertes Referenzdesign für Traktionsinverter, das von Texas Instruments und Wolfspeed entwickelt wurde. Es bietet eine Grundlage für OEMs und Entwicklungsingenieure, um leistungsstarke, hocheffiziente Traktionsinvertersysteme zu entwickeln und schneller (...)

Referenzdesign

Referenzdesign für Zweiphasen-Totem-Pole-PFC, GaN-basiert mit variabler Frequenz, ZVS, 5 kW

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um eine 5-kW-Totempfad-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) mit hoher Dichte und hohem Wirkungsgrad. Das Design verwendet einen zweiphasigen Totem-Pole-PFC, der mit variabler Frequenz und Nullspannungsschaltung (ZVS) arbeitet. Die Steuerung verwendet eine neue (...)