JAJSO96A March 2022 – April 2025 CC1311P3
PRODUCTION DATA
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
最大 352KB の不揮発性 (フラッシュ) メモリにより、コードとデータを保存できます。フラッシュ メモリは、インシステム プログラマブルで消去可能です。最後のフラッシュ メモリ セクタには、ブート ROM およびテキサス インスツルメンツが提供するドライバがデバイスを構成するために使用する顧客構成セクション (CCFG) が含まれている必要があります。この構成は、TI が提供するすべてのサンプルに含まれる cfg.c ソース ファイルを使用して行われます。
超低リーク システム スタティック RAM (SRAM) は 1 つの 32KB ブロックで、データの保存とコード実行の両方に使用できます。スタンバイ電力モードでの SRAM 内容の保持はデフォルトで有効化され、スタンバイ モードの消費電力の数値に含まれます。
不揮発性メモリからコードを実行する際のコード実行速度を向上させ、消費電力を低減するために、4-way 非連想 8KB キャッシュがデフォルトで有効になっており、システム CPU によって読み取られた命令をキャッシュおよびプリフェッチします。キャッシュは、Customer Configuration Area (CCFG) でこの機能を有効にすることで、汎用 RAM として使用できます。
ROM にはシリアル (SPI および UART) ブートローダが含まれており、デバイスの初期プログラミングに使用できます。