JAJSED4A September   2013  – January 2018 CSD13202Q2

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
    1.     Device Images
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Characteristics
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q2パッケージの寸法
      1. 7.1.1 推奨されるPCBパターン
      2. 7.1.2 推奨されるステンシル・パターン
    2. 7.2 Q2のテープ・アンド・リール情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DQK|6
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

この12V、7.5mΩの NexFET™パワーMOSFETは、電力変換および負荷管理アプリケーションで損失を最小化するよう設計されています。2mm×2mmのSONにより、このサイズのパッケージとして非常に優れた熱特性を実現しています。

上面図
CSD13202Q2 P0108-01_LPS235.gif

製品概要

TA = 25°C標準値単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 12 V
Qg ゲートの合計電荷(4.5V) 5.1 nC
Qgd ゲート電荷、ゲート-ドレイン間 0.76 nC
RDS(on) ドレイン-ソース間オン抵抗 VGS = 2.5V 9.1 mΩ
VGS = 4.5V 7.5
VGS(th) スレッショルド電圧 0.8 V

製品情報

デバイスメディア数量パッケージ出荷
CSD13202Q2 7インチ・リール 3000 SON
2.00mm×2.00mm
プラスチック・パッケージ		 テープ・アンド・リール

絶対最大定格

TA = 25°C値単位
VDS ドレイン-ソース間電圧 12 V
VGS ゲート-ソース間電圧 ±8 V
ID 連続ドレイン電流(パッケージ制限) 22 A
連続ドレイン電流(1) 14.4
IDM パルス・ドレイン電流、TA = 25℃(2) 76 A
PD 消費電力(1) 2.7 W
TJ、TSTG 動作時の接合部、
保管温度		 –55～150 °C
EAS アバランシェ・エネルギー、単一パルス
ID = 20A、L = 0.1mH、RG = 25Ω		 20 mJ
  1. 0.06インチ厚のFR4 PCB上の1インチ2 Cu (2オンス)で、RθJA = 45℃/W
  2. パルス幅10μs、デューティ・サイクル ≤ 2%