JAJSDP2C April   2016  – February 2022 CSD17382F4

PRODUCTION DATA  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 サポート・リソース
    2. 6.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 6.3 Trademarks
    4. 6.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 6.5 Glossary
  7. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 Mechanical Dimensions
    2. 7.2 Recommended Minimum PCB Layout
    3. 7.3 Recommended Stencil Pattern
    4. 7.4 CSD17382F4 Embossed Carrier Tape Dimensions

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • YJC|3
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

概要

この 30V、54mΩ、N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。

標準的な部品寸法

製品概要
TA = 25℃ 標準値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 30 V
Qg ゲートの合計電荷 (4.5V) 2.1 nC
Qgd ゲート電荷、ゲート - ドレイン間 0.63 nC
RDS(on) ドレイン - ソース間オン抵抗 VGS = 1.8V 110 mΩ
VGS = 2.5V 67 mΩ
VGS = 4.5V 56 mΩ
VGS = 8.0V 54 mΩ
VGS(th) スレッショルド電圧 0.9 V

製品情報
デバイス(1)数量メディアパッケージ出荷形態
CSD17382F430007 インチ・リールFemto (0402) 1.0mm × 0.6mm SMD リードレステープ・アンド・リール
CSD17382F4T250
利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
絶対最大定格
TA = 25℃単位
VDSドレイン - ソース間電圧30V
VGSゲート - ソース間電圧10V
ID連続ドレイン電流(1)2.3A
IDMパルス・ドレイン電流(2) 14.8A
PD消費電力(1)500mW
ESD 定格人体モデル (HBM)3000V
デバイス帯電モデル (CDM)2000V
TJ
Tstg
動作時の接合部温度、
保存温度
–55~150°C
EASアバランシェ・エネルギー、単一パルス ID = 6.5A、
L = 0.1mH、RG = 25Ω
2.1mJ
RθJA = 245℃/W (標準値、厚さ 0.06 インチ (1.52mm) の FR4 PCB 上の面積 1 平方インチ (6.45cm2)、厚さ 2oz (0.071mm) の Cu パッドに実装した場合)
パルス幅 ≤ 100μs、デューティ・サイクル ≤ 1%
GUID-DB0156AA-978E-492D-A7DA-BDD9E2D49FE0-low.gif上面図