ホーム パワー マネージメント MOSFET
ホーム
パワー マネージメント
MOSFET

CSD17382F4

アクティブ

ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1 mm x 0.6mm の LGA 封止、シングル、67mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

ご注文はこちら
データシート

CSD17382F4

アクティブ
データシート ご注文はこちら

製品詳細

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 67 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 82 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 2.1 QGD (typ) (nC) 0.63 QGS (typ) (nC) 0.41 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.3 ID - package limited (A) 2.3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 67 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 82 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 2.1 QGD (typ) (nC) 0.63 QGS (typ) (nC) 0.41 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.3 ID - package limited (A) 2.3 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² (1.035 mm × 0.635 mm)
  • 低オン抵抗
  • 低い Qg および Qgd
  • 低スレッショルド電圧
  • 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型プロファイル
    • 高さ 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 3kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠
  • 低オン抵抗
  • 低い Qg および Qgd
  • 低スレッショルド電圧
  • 非常に小さな外形 (0402 ケース・サイズ)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型プロファイル
    • 高さ 0.36mm
  • ESD 保護ダイオード搭載
    • HBM 定格 3kV 超
    • CDM 定格 2kV 超
  • 鉛およびハロゲン不使用
  • RoHS 準拠

この 30V、54mΩ、N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。

.

.

.

.

.

この 30V、54mΩ、N チャネル FemtoFET™ MOSFET テクノロジは、さまざまなハンドヘルドおよびモバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。標準の小信号 MOSFET をこのテクノロジに置き換えて、占有面積を 60% 以上減らすことができます。

.

.

.

.

.
filter その他の MOSFET を検索
ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

お客様が関心を持ちそうな類似品

open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品。
CSD13383F4 アクティブ ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、1 mm x 0.6mm の LGA 封止、シングル、44mΩ、12V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET Alternate 12 V versus 30 V, lower resistance
CSD17381F4 アクティブ ゲートの ESD (静電気放電) 保護機能搭載、シングル LGA 1mm x 0.6mm、117mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET Higher resistance, lower leakage

技術資料

結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
10 をすべて表示
上位の文書 タイプ タイトル フォーマットオプション 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD17382F4 30V N チャネル FemtoFET MOSFET データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2022/04/12
アプリケーション・ノート MOSFET サポート / トレーニング ツール (Rev. G 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.G) PDF | HTML 2025/11/18
アプリケーション概要 パワー MOSFET のリーク電流の推定 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025/11/07
アプリケーション・ノート 半導体および IC パッケージの熱評価基準 (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2025/05/08
アプリケーション・ノート Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023/12/18
アプリケーション・ノート Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023/12/14
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023/03/13
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022/05/31
技術記事 What type of ESD protection does your MOSFET include? PDF | HTML 2020/06/22
設計ガイド FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016/07/07

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

サポート・ソフトウェア

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
サポート対象の製品とハードウェア
サポート・ソフトウェア

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

CSD17382F4 TINA-TI Spice Model

SLPM202.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

CSD17382F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM177A.ZIP (3 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
計算ツール

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
サポート対象の製品とハードウェア
計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
サポート対象の製品とハードウェア
リファレンス・デザイン

TIDA-010085 — デジタル アイソレータ使用、24 VAC マルチチャネル半導体リレーのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、単一の絶縁を使用するマルチチャネル ソリッドステート リレー (半導体リレー：SSR) を提示します。このデザインは、単一の絶縁型電源と、共通のグランドを共有するゲート ドライブ回路を使用した、マルチチャネル デジタル アイソレータにより、複数の SSR を互いに独立した形で制御します。本リファレンス デザインでは、24VAC 駆動リレーの電流定格は最大 2A です。しかし、最大 240VAC かつより大きい電流定格に拡張することもできます。各 SSR チャネルの専有面積は 75mm2 未満であり、各部品の最大の高さは約 3mm (...)
サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

投稿されたすべてのフォーラムトピック (英語) を表示

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ