JAJSCT3A November   2016  – January 2017 CSD18514Q5A

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4改訂履歴
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q5Aパッケージの寸法
    2. 7.2 推奨されるPCBパターン
    3. 7.3 推奨されるステンシル開口部
    4. 7.4 Q5Aのテープ・アンド・リール情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • DQJ|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

デバイスおよびドキュメントのサポート

ドキュメントの更新通知を受け取る方法

ドキュメントの更新についての通知を受け取るには、ti.comのデバイス製品フォルダを開いてください。右上の隅にある「通知を受け取る」をクリックして登録すると、変更されたすべての製品情報に関するダイジェストを毎週受け取れます。変更の詳細については、修正されたドキュメントに含まれている改訂履歴をご覧ください。

コミュニティ・リソース

The following links connect to TI community resources. Linked contents are provided "AS IS" by the respective contributors. They do not constitute TI specifications and do not necessarily reflect TI's views; see TI's Terms of Use.

    TI E2E™オンライン・コミュニティ TIのE2E(Engineer-to-Engineer)コミュニティ。エンジニア間の共同作業を促進するために開設されたものです。e2e.ti.comでは、他のエンジニアに質問し、知識を共有し、アイディアを検討して、問題解決に役立てることができます。
    設計サポート TIの設計サポート 役に立つE2Eフォーラムや、設計サポート・ツールをすばやく見つけることができます。技術サポート用の連絡先情報も参照できます。

商標

NexFET, E2E are trademarks of Texas Instruments.

静電気放電に関する注意事項

esds-image

これらのデバイスは、限定的なESD(静電破壊)保護機能を内 蔵しています。保存時または取り扱い時は、MOSゲートに対す る静電破壊を防止するために、リード線同士をショートさせて おくか、デバイスを導電フォームに入れる必要があります。

Glossary

SLYZ022TI Glossary.

This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.