CSD18514Q5A

アクティブ

5mm x 6mm のシングル SON 封止、4.9mΩ、40V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

製品詳細

VDS (V) 40 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 7.9 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 4.9 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 237 QG typ (nC) 29 QGD typ (nC) 5 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 89 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes
VDS (V) 40 Configuration Single Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) 7.9 Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) 4.9 IDM - pulsed drain current (Max) (A) 237 QG typ (nC) 29 QGD typ (nC) 5 Package (mm) SON5x6 VGS (V) 20 VGSTH typ (V) 1.8 ID - silicon limited at Tc=25degC (A) 89 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes
  • 低いRDS(ON)
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • ロジック・レベル
  • 鉛フリーの端子メッキ処理
  • RoHS準拠
  • ハロゲン不使用
  • SON 5mm×6mmプラスチック・パッケージ
  • 低いRDS(ON)
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • ロジック・レベル
  • 鉛フリーの端子メッキ処理
  • RoHS準拠
  • ハロゲン不使用
  • SON 5mm×6mmプラスチック・パッケージ

この4.1mΩ、SON 5mm×6mm、40V NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。

この4.1mΩ、SON 5mm×6mm、40V NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。

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技術資料

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* データシート CSD18514Q5A 40V、Nチャネル NexFETパワーMOSFET データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版をダウンロード (Rev.A) PDF | HTML 2017年 5月 24日
アプリケーション・ノート Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
技術記事 Understanding the benefits of “lead-free” power MOSFETs 2019年 2月 8日
アプリケーション・ノート QFN and SON PCB Attachment (Rev. B) PDF | HTML 2018年 8月 24日
アプリケーション・ノート Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. C) PDF | HTML 2016年 4月 19日
技術記事 When to use load switches in place of discrete MOSFETs 2016年 2月 3日
技術記事 48V systems: Driving power MOSFETs efficiently and robustly 2015年 10月 8日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計および開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

サポート・ソフトウェア

Power Loss Calculation Tool for Load Switch

SLPC019.ZIP (338 KB)
シミュレーション・モデル

CSD18514Q5A Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM327B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
計算ツール

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — MOSFET power loss calculator for motor drive applications

これは、ブラシレス DC モーター・ドライブ・アプリケーションを想定した、Excel ベースの MOSFET 電力損失カリキュレータです。
計算ツール

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Non-Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算ツール

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — 同期整流方式昇圧コンバータの電力損失計算ツール

同期昇圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機
計算ツール

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — 同期降圧コンバータ・アプリケーション向けの MOSFET 電力損失計算機

サイズ、コスト、性能の観点でトレードオフを迅速に検討し、アプリケーションの各種条件に基づいて最適な MOSFET を選定することができます。
計算ツール

SYNC-RECT-FET-LOSS-CALC — 同期整流用の電力損失計算ツール

同期整流器アプリケーション向けの MOSFET 電力損失カリキュレータ
リファレンス・デザイン

PMP40569 — 36~57-Vdc input, 5-V/4-A output isolated flyback with synchronous rectification reference design

このリファレンス・デザインは LM5155 と UCC24612 を使用し、36 ~ 57Vdc の入力範囲を受け入れ、5V / 4A を出力する絶縁型フライバック・コンバータです。スイッチング周波数は 250kHz です。このシステムは同期整流コントローラ UCC24612 と 1 個の MOSFET を 2 次側で使用しており、36V 入力時に 89.29% のピーク効率を達成します。これは、ショットキー整流より 3.86% 高い数値です。全負荷出力の場合、整流実施後の MOSFET の温度はショットキーより 33℃ (...)
リファレンス・デザイン

TIDA-010031 — 25.2V、30A 高速センサレス(>100krpm)ブラシレス DC モーター・ドライブのリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、最大 900W、最大モーター速度 180,000rpm(100,000rpm まで検証済み)の 6 ~ 33.6V DC 供給ブラシレス DC(BLDC)モーターの高速センサレス台形制御を目的としています。通信ポイントのハードウェア検出機能を搭載した、コスト効率の優れたスマート・マイコンは、速度適応型の逆起電力(BEMF)検出機能を使用して、センサレス台形制御を高速化します。この BLDC 電力段は小型で、効率を重視して最適化されており、スマートな 3 相ゲート・ドライバ採用により、短絡、モーター停止、過熱から包括的に保護されています。
パッケージ ピン数 ダウンロード
(DQJ) 8 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

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