JAJSHK1B August   2019  – January 2021 DRV8876-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成と機能
    1.     ピン機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 外付け部品
      2. 7.3.2 制御モード
        1. 7.3.2.1 PH/EN 制御モード (PMODE = 論理 Low)
        2. 7.3.2.2 PWM 制御モード (PMODE = 論理 High)
        3. 7.3.2.3 独立ハーフブリッジ制御モード (PMODE = Hi-Z)
      3. 7.3.3 電流検出およびレギュレーション
        1. 7.3.3.1 電流検出
        2. 7.3.3.2 電流レギュレーション
          1. 7.3.3.2.1 固定オフ時間電流チョッピング
          2. 7.3.3.2.2 サイクル単位電流チョッピング
      4. 7.3.4 保護回路
        1. 7.3.4.1 VM 電源低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 7.3.4.2 VCP チャージ・ポンプ低電圧誤動作防止 (CPUV)
        3. 7.3.4.3 OUTx の過電流保護 (OCP)
        4. 7.3.4.4 サーマル・シャットダウン (TSD)
        5. 7.3.4.5 フォルト条件のまとめ
      5. 7.3.5 ピン構造図
        1. 7.3.5.1 論理レベル入力
        2. 7.3.5.2 トライレベル入力
        3. 7.3.5.3 クワッドレベル入力
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 アクティブ・モード
      2. 7.4.2 低消費電力スリープ・モード
      3. 7.4.3 フォルト・モード
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 主要アプリケーション
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 8.2.1.2.1 電流検出およびレギュレーション
          2. 8.2.1.2.2 消費電力および出力電流特性
          3. 8.2.1.2.3 熱性能
            1. 8.2.1.2.3.1 定常状態熱性能
            2. 8.2.1.2.3.2 過渡熱性能
        3. 8.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 8.2.2 代替アプリケーション
        1. 8.2.2.1 設計要件
        2. 8.2.2.2 詳細な設計手順
          1. 8.2.2.2.1 電流検出およびレギュレーション
        3. 8.2.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
    1. 9.1 バルク容量
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
      1. 10.2.1 HTSSOP のレイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • PWP|16
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.3.4.3 OUTx の過電流保護 (OCP)

各 MOSFET のアナログ電流制限回路により、短絡時にもデバイスのピーク出力電流を制限できます。

出力電流が tOCP より長く過電流スレッショルド IOCP を上回ると、H ブリッジのすべての MOSFET がディスエーブルされ、nFAULT ピンが Low に駆動されます。表 7-6 に示すとおり、過電流応答は IMODE ピンで設定できます。

自動リトライ・モードでは、MOSFET がディスエーブルされ、nFAULT ピンが tRETRY の間 Low に駆動されます。tRETRY 後、EN/IN1 ピンと PH/IN2 ピンの状態に応じて MOSFET が再イネーブルされます。過電流状態がまだ解消していない場合、このサイクルを繰り返します。解消している場合、通常のデバイス動作を再開します。

ラッチオフ・モードでは、nSLEEP ピンを使用するか VM 電源を切ってデバイスをリセットするまで、MOSFET はディスエーブルされ、nFAULT ピンは Low に駆動されたままになります。

Topic Link Label7.3.2.3 では、OCP の動作が若干変わります。過電流イベントが検出されると、該当するハーフブリッジのみがディスエーブルされ、nFAULT ピンが Low に駆動されます。もう一方のハーフブリッジは通常動作を継続します。これにより、本デバイスは負荷を個別に駆動して、フォルト・イベントを個別に管理できます。両方のハーフブリッジで過電流イベントが検出されると、両方のハーフブリッジがディスエーブルされ、nFAULT ピンが Low に駆動されます。自動リトライ・モードでは、両方のハーフブリッジで同じ過電流リトライ・タイマを共有します。まず一方のハーフブリッジに過電流イベントが発生し、その後 tRETRY が経過する前に、もう一方のハーフブリッジにも発生した場合、最初のハーフブリッジのリトライ・タイマが tRETRY にリセットされ、リトライ・タイマのタイムアウト後に両方のハーフブリッジが再イネーブルされます。