JAJSFU5B January   2017  – November 2018 DRV8886AT

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     概略回路図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
    1.     端子機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱特性
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 ステッピング制御ロジック・タイミング要件
    7. 6.7 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  ステッピング・モータ・ドライバの電流定格
        1. 7.3.1.1 ピーク電流定格
        2. 7.3.1.2 RMS 電流定格
        3. 7.3.1.3 フルスケール電流定格
      2. 7.3.2  PWM モータ・ドライバ
      3. 7.3.3  マイクロステッピング・インデクサ
      4. 7.3.4  電流レギュレーション
      5. 7.3.5  MCU DAC による RREF の制御
      6. 7.3.6  減衰モード
        1. 7.3.6.1 モード 1：電流増加では低速減衰、電流減少では混合減衰
        2. 7.3.6.2 モード 2：電流増加および減少で混合減衰
        3. 7.3.6.3 モード 3：AutoTune リップル制御
        4. 7.3.6.4 モード 4：AutoTune 動的減衰
      7. 7.3.7  ブランキング時間
      8. 7.3.8  チャージ･ポンプ
      9. 7.3.9  リニア電圧レギュレータ
      10. 7.3.10 論理およびマルチレベル・ピン構造図
      11. 7.3.11 保護回路
        1. 7.3.11.1 VM 低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 7.3.11.2 VCP 低電圧誤動作防止 (CPUV)
        3. 7.3.11.3 過電流保護 (OCP)
        4. 7.3.11.4 サーマル・シャットダウン (TSD)
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 ステッピング・モータの速度
        2. 8.2.2.2 電流レギュレーション
        3. 8.2.2.3 減衰モード
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
    1. 9.1 バルク・コンデンサ
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトの注意点
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

TA = -40～125℃、VVM = 8～37V (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小 代表値 最大 単位
電源 (VM、DVDD、AVDD)
VVM VM 動作電圧 8 37 V
IVM VM 動作電源電流 ENABLE = 1、nSLEEP = 1、モータ負荷なし 5 8 mA
IVMQ VM スリープ・モード電源電流 nSLEEP = 0、TA = 25℃ 20 μA
nSLEEP = 0、TA = 125℃(1) 40
tSLEEP スリープ時間 nSLEEP = 0 でスリープモード 50 200 μs
tWAKE ウェークアップ時間 nSLEEP = 1 で出力遷移 0.85 1.5 ms
tON ターンオン時間 VM > UVLO で出力遷移 0.85 1.5 ms
VDVDD 内部レギュレータ電圧 0～1mA 外部負荷 2.9 3.3 3.6 V
VAVDD 内部レギュレータ電圧 外部負荷なし 4.5 5 5.5 V
チャージ・ポンプ (VCP、CPH、CPL)
VVCP VCP 動作電圧 VM + 5.5 V
論理レベル入力 (STEP、DIR、ENABLE、nSLEEP、M1)
VIL 入力論理 Low 電圧 0 0.8 V
VIH 入力論理 High 電圧 1.6 5.3 V
VHYS 入力論理ヒステリシス 200 mV
IIL 入力論理 Low 電流 VIN = 0V –1 1 μA
IIH 入力論理 High 電流 VIN = 5V 100 μA
RPD プルダウン抵抗 対 GND 100 kΩ
tPD(1) 伝搬遅延 STEP で電流変更 1.2 μs
トライレベル入力 (M0、TRQ)
VIL トライレベル入力論理 Low 電圧 0 0.65 V
VIZ トライレベル入力 Hi-Z 電圧 0.95 1.1 1.25 V
VIH トライレベル入力論理 High 電圧 1.5 5.3 V
IIL トライレベル入力論理 Low 電流 VIN = 0V –90 μA
IIH トライレベル入力論理 High 電流 VIN = 5V 155 μA
RPD トライレベル・プルダウン抵抗 VIN = Hi-Z、対 GND 65 kΩ
RPU トライレベル・プルアップ抵抗 VIN = Hi-Z、対 DVDD 130 kΩ
クワッドレベル入力 (減衰)
VI1 クワッドレベル入力電圧 1 対 GND 1% 5kΩ で設定可能 0 0.14 V
VI2 クワッドレベル入力電圧 2 対 GND 1% 15kΩ で設定可能 0.24 0.46 V
VI3 クワッドレベル入力電圧 3 対 GND 1% 44.2kΩ で設定可能 0.71 1.24 V
VI4 クワッドレベル入力電圧 4 対 GND 1% 133kΩ で設定可能 2.12 5.3 V
IO 出力電流 対 GND 17 22 27.25 μA
制御出力 (nFAULT)
VOL 出力論理 Low 電圧 IO = 1mA、RPULLUP = 4.7kΩ 0.5 V
IOH 出力論理 High リーク電流 VO = 5V、RPULLUP = 4.7kΩ –1 1 μA
モータ・ドライバ出力 (AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2)
RDS(ON) ハイサイド FET オン抵抗 VM = 24V、I = 1.4A、TA = 25℃ 290 346 mΩ
RDS(ON) ローサイド FET オン抵抗 VM = 24V、I = 1.4A、TA = 25℃ 260 320 mΩ
tRISE(1) 出力立ち上がり時間 100 ns
tFALL(1) 出力立ち下がり時間 100 ns
tDEAD(1) 出力デッドタイム 200 ns
Vd(1) ボディダイオード順方向電圧 IOUT = 0.5A 0.7 1 V
PWM 電流制御 (RREF)
ARREF RREF トランスインピーダンス・ゲイン 28.1 30 31.9 kAΩ
VRREF RREF 電圧 RREF = 18～132kΩ 1.18 1.232 1.28 V
tOFF PWM オフ時間 20 μs
CRREF RREF の等価容量 10 pF
tBLANK PWM ブランキング時間 IRREF = 2.0A、63%～100% 電流設定 1.5 µs
IRREF = 2.0A、0%～63% 電流設定 1
ΔITRIP 電流トリップ精度 IRREF = 1.5A、10%～20% 電流設定、1% リファレンス抵抗 -15% 15%
IRREF = 1.5A、20%～63% 電流設定、1% リファレンス抵抗 –10% 10%
IRREF = 1.5A、71%～100% 電流設定、1% リファレンス抵抗 –6.25% 6.25%
保護回路
VUVLO VM UVLO VM 立ち下がり、UVLO 通知 7 7.8 V
VM 立ち上がり、UVLO 復帰 7.2 8
VUVLO,HYS 低電圧ヒステリシス 立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド 200 mV
VCPUV チャージ・ポンプ低電圧 VCP 立ち下がり、CPUV 通知 VM + 2 V
IOCP 過電流保護レベル FET を流れる電流 3 A
tOCP(1) 過電流グリッチ除去時間 1.3 1.9 2.8 μs
tRETRY 過電流リトライ時間 1 1.6 ms
TTSD(1) 過熱保護閾値温度 ダイ温度 TJ 150 °C
THYS(1) 過熱保護閾値ヒステリシス ダイ温度 TJ 20 °C
(1) 設計と特性データにより規定されています。