JAJSKX0 データシート

JAJSKX0 April 2020 – December 2020 DRV8955

PRODUCTION DATA

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）

RGE|24
- MPQF124G
PWP|28
- MPDS373B

サーマルパッド・メカニカル・データ

RGE|24
- QFND008AA

発注情報

6.5 電気的特性

標準値は T_A = 25℃、V_VM = 24V での値です。特に記述のない限り、すべての限界値は推奨動作条件の全範囲を満たすものとします。

パラメータ		テスト条件	最小	標準	最大	単位
電源 (VM、DVDD)
I_VM	VM 動作電源電流	nSLEEP = 1、負荷なし		5	6.5	mA
I_VMQ	VM スリープ・モード電源電流	nSLEEP = 0		2	4	μA
t_SLEEP	スリープ時間	nSLEEP = 0 でスリープモード	120			μs
t_RESET	nSLEEP リセット・パルス	nSLEEP = Low でフォルトをクリア	20		40	μs
t_WAKE	ウェークアップ時間	nSLEEP = 1 で出力遷移		0.8	1.2	ms
t_ON	ターンオン時間	VM > UVLO で出力遷移		0.8	1.2	ms
V_DVDD	内部レギュレータ電圧	外部負荷なし、6V < V_VM < 48V	4.75	5	5.25	V
V_DVDD	内部レギュレータ電圧	外部負荷なし、V_VM = 4.5V	4.2	4.35		V
チャージ・ポンプ (VCP、CPH、CPL)
V_VCP	VCP 動作電圧	6V < V_VM < 48V		V_VM +5		V
f_(VCP)	チャージ・ポンプ・スイッチング周波数	V_VM > UVLO、nSLEEP = 1		360		kHz
論理レベル入力 (IN1、IN2、IN3、IN4、EN1、EN2、EN3、EN4、nSLEEP)
V_IL	入力論理 Low 電圧		0		0.6	V
V_IH	入力論理 High 電圧		1.5		5.5	V
V_HYS	入力論理ヒステリシス			150		mV
I_IL	入力論理 Low 電流	V_IN = 0V	–1		1	μA
I_IH	入力論理 High 電流	V_IN = 5V			100	μA
t₁	ENx High から OUTx High の遅延	INx = 1			5	μs
t₂	ENx Low から OUTx Low の遅延	INx = 1			5	μs
t₃	ENx High から OUTx Low の遅延	INx = 0			5	μs
t₄	ENx Low から OUTx High の遅延	INx = 0			5	μs
t₅	INx High から OUTx High の遅延			800		ns
t₆	INx Low から OUTx Low の遅延			800		ns
クワッドレベル入力 (MODE、TOFF)
V_I1	入力論理 Low 電圧	GND に接続	0		0.6	V
V_I2		330kΩ ± 5% を GND との間に接続	1	1.25	1.4	V
V_I3	入力ハイ・インピーダンス電圧	ハイ・インピーダンス (GND との間の抵抗値が 500kΩ よりも大きい)	1.8	2	2.2	V
V_I4	入力論理 High 電圧	DVDD に接続	2.7		5.5	V
I_O	出力プルアップ電流			10		μA
制御出力 (nFAULT)
V_OL	出力論理 Low 電圧	I_O = 5mA			0.5	V
I_OH	出力論理 High リーク電流		–1		1	μA
モータ・ドライバ出力（OUT1、OUT2、OUT3、OUT4）
R_DS(ONH)	ハイサイド FET オン抵抗 (MODE = 0 または 330kΩ を GND との間に接続)	T_J = 25℃、I_O = -1A		165	200	mΩ
		T_J = 125℃、I_O = -1A		250	300	mΩ
		T_J = 150℃、I_O = -1A		280	350	mΩ
R_DS(ONL)	ローサイド FET オン抵抗 (MODE = 0 または 330kΩ を GND との間に接続)	T_J = 25℃、I_O = 1A		165	200	mΩ
		T_J = 125℃、I_O = 1A		250	300	mΩ
		T_J = 150℃、I_O = 1A		280	350	mΩ
R_DS(ONH)	ハイサイド FET オン抵抗 (MODE = 1)	T_J = 25℃、I_O = -1A		80	100	mΩ
		T_J = 125℃、I_O = -1A		125	150	mΩ
		T_J = 150℃、I_O = -1A		140	175	mΩ
R_DS(ONL)	ローサイド FET オン抵抗 (MODE = 1)	T_J = 25℃、I_O = 1A		80	100	mΩ
		T_J = 125℃、I_O = 1A		125	150	mΩ
		T_J = 150℃、I_O = 1A		140	175	mΩ
R_DS(ONH)	ハイサイド FET オン抵抗 (MODE = ハイ・インピーダンス)	T_J = 25℃、I_O = -1A		40	50	mΩ
		T_J = 125℃、I_O = -1A		60	75	mΩ
		T_J = 150℃、I_O = -1A		70	90	mΩ
R_DS(ONL)	ローサイド FET オン抵抗 (MODE = ハイ・インピーダンス)	T_J = 25℃、I_O = 1A		40	50	mΩ
		T_J = 125℃、I_O = 1A		60	75	mΩ
		T_J = 150℃、I_O = 1A		70	90	mΩ
t_RF	出力立ち上がり / 立ち下がり時間	VM = 24V		100		ns
電流レギュレーション (VREF)
K_V	トランスインピーダンス・ゲイン	VREF = 3.3V、MODE = 0 または 330kΩ を GND との間に接続	1.254	1.32	1.386	V/A
		VREF = 3.3V、MODE = 1	0.627	0.66	0.693	V/A
		VREF = 3.3V、MODE = ハイ・インピーダンス	0.313	0.33	0.347	V/A
I_VREF	VREF リーク電流	VREF = 3.3V			8.25	μA
t_OFF	PWM オフ時間	TOFF = 0		7		μs
		TOFF = 1		16
		TOFF = ハイ・インピーダンス		24
		TOFF = 330kΩ を GND との間に接続		32
ΔI_TRIP	電流トリップ精度	ITRIP 設定の 10%～20%	-12		12	%
		ITRIP 設定の 20%～40%	-6		6
		ITRIP 設定の 40%～100%	-4		4
保護回路
V_UVLO	VM 低電圧誤動作防止 (UVLO)	VM 立ち下がり、UVLO 立ち下がり	4.1	4.25	4.35	V
V_UVLO	VM 低電圧誤動作防止 (UVLO)	VM 立ち上がり、UVLO 立ち上がり	4.2	4.35	4.45	V
V_UVLO,HYS	低電圧ヒステリシス	立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド		100		mV
V_CPUV	チャージ・ポンプ低電圧	VCP 立ち下がり		V_VM + 2		V
I_OCP	過電流保護	FET を流れる電流 (MODE = 0 または 330kΩ を GND との間に接続)	4			A
		FET を流れる電流 (MODE = 1)	8			A
		FET を流れる電流 (MODE = ハイ・インピーダンス)	16			A
t_OCP	過電流グリッチ除去時間			2		μs
T_OTSD	サーマル・シャットダウン	ダイ温度 T_J	150	165	180	°C
T_{HYS_OTSD}	過熱保護閾値ヒステリシス	ダイ温度 T_J		20		°C