JAJSD50H April   2017  – November 2023 INA181 , INA2181 , INA4181

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 広い帯域幅と大きなスルーレート
      2. 7.3.2 双方向電流監視
      3. 7.3.3 広い入力同相電圧範囲
      4. 7.3.4 高精度ローサイド電流センシング
      5. 7.3.5 レール・ツー・レール出力
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 通常モード
      2. 7.4.2 単方向モード
      3. 7.4.3 双方向モード
      4. 7.4.4 入力差動過負荷
      5. 7.4.5 シャットダウン・モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 基本的な接続
      2. 8.1.2 RSENSE とデバイスのゲインの選択
      3. 8.1.3 信号フィルタリング
      4. 8.1.4 複数の電流の加算
      5. 8.1.5 リーク電流の検出
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
      1. 8.3.1 26V を超える同相過渡
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 デバイスのサポート
      1. 9.1.1 開発サポート
    2. 9.2 ドキュメントのサポート
      1. 9.2.1 関連資料
    3. 9.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 9.4 サポート・リソース
    5. 9.5 商標
    6. 9.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 9.7 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

TA = 25℃、VS = 5V、VREF = VS/2、VIN+ = 12V、VSENSE = VIN+ – VIN– (特に記述のない限り)
パラメータ 状態 最小値 標準値 最大値 単位
入力
CMRR 同相除去比、RTI(1) VIN+ = 0V～26V、VSENSE = 0mV、
TA = -40℃～+125°C		 84 100 dB
VOS オフセット電圧、RTI VSENSE = 0mV、VIN+ = 0V ±25 ±150 µV
VSENSE = 0mV ±100 ±500 μV
dVOS/dT オフセット ドリフト、RTI VSENSE = 0mV、TA = -40℃～+125°C 0.2 1 μV/℃
PSRR RTI 対電源比 VS = 2.7V～5.5V、VIN+ = 12V、

VSENSE = 0mV		 ±8 ±40 μV/V
IIB 入力バイアス電流 VSENSE = 0mV、VIN+ = 0V -6 μA
VSENSE = 0mV 75 μA
IIO 入力オフセット電流 VSENSE = 0mV ±0.05 μA
出力
G ゲイン A1 デバイス 20 V/V
A2 デバイス 50 V/V
A3 デバイス 100 V/V
A4 デバイス 200 V/V
EG ゲイン誤差 VOUT = 0.5V～VS – 0.5V、
TA = –40℃～+125℃		 ±0.1% ±1%
ゲイン誤差と温度との関係 TA = –40℃～+125℃ 1.5 20 ppm/°C
非直線性誤差 VOUT = 0.5V～VS – 0.5V ±0.01%
最大容量性負荷 発振が持続しないこと 1 nF
電圧出力 (2) 
VSP VS 電源レールまでスイング (3) RL = 10kΩ (対 GND)、TA= –40℃～+125℃ (VS) – 0.02 (VS) – 0.03 V
VSN GND までスイング (3) RL = 10kΩ (対 GND)、TA= –40℃～+125℃ (VGND) + 0.0005 (VGND) + 0.005 V
周波数特性
BW 帯域幅 A1 デバイス、CLOAD = 10pF 350 kHz
A2 デバイス、CLOAD = 10pF 210 kHz
A3 デバイス、CLOAD = 10pF 150 kHz
A4 デバイス、CLOAD = 10pF 105 kHz
SR スルーレート 2 V/μs
ノイズ、RTI (1)
電圧ノイズ密度 40 nV/√Hz
電源
IQ 静止電流 INA181 VSENSE = 0mV 195 260 μA
VSENSE = 0mV、TA = -40℃～+125℃ 300
INA2181 VSENSE = 0mV  356 500 μA
VSENSE = 0mV、TA = -40℃～+125℃ 520
INA4181 VSENSE = 0mV  690 900 μA
VSENSE = 0mV、TA = -40℃～+125℃ 1000
(1) RTI = 入力換算
(3) スイング仕様は、オーバードライブ入力条件でテスト済みです。