JAJSWA1 March   2025 INA950-SEP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 アンプ入力同相範囲
      2. 6.3.2 入力信号の帯域幅
      3. 6.3.3 低い入力バイアス電流
      4. 6.3.4 低い VSENSE での動作
      5. 6.3.5 広い固定ゲイン出力
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 単方向動作
      2. 6.4.2 高い信号スループット
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
      1. 7.1.1 RSENSE とデバイスのゲインの選択
      2. 7.1.2 入力フィルタリング
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1 負の VSENSE による過負荷復帰
      3. 7.2.3 アプリケーション曲線
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 ドキュメントのサポート
      1. 8.1.1 関連資料
    2. 8.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 8.3 サポート・リソース
    4. 8.4 商標
    5. 8.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 8.6 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 10.1 メカニカル データ
    2.     パッケージ情報
    3. 10.2 テープおよびリール情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.3.5 広い固定ゲイン出力

INA950-SEP のゲイン誤差はほとんどのゲインオプションで室温で 0.1% 未満、-55℃～+125℃の温度範囲全体で最大ドリフトは 5ppm/℃です。

INA950-SEP 閉ループ ゲインは、高精度で低ドリフトの内部抵抗ネットワークによって設定されます。これらの抵抗の比は非常によく一致していますが、絶対値は大きく異なる場合があります。この変動があるため、TIでは INA950-SEP の周囲に抵抗を追加して実効ゲインを変更することは推奨しません。表 6-1 は、上記の機能図に示される内部ゲイン抵抗の標準値を示しています。

表 6-1 固定ゲイン抵抗
ゲイン R1 RL
20 (V/V) 25kΩ 500kΩ