JAJSR52 September 2023 LMG3526R050
PRODUCTION DATA
ドライバと保護機能を内蔵した LMG3526R050 GaN FET は、スイッチ・モード・パワー・コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は比類ない電力密度と効率を実現できます。
LMG3526R050 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。テキサス・インスツルメンツの統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合とテキサス・インスツルメンツの低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート・ドライブ強度により、15V/ns ~ 150V/ns までのスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。
高度な機能として、デジタル温度レポート、障害検出、ゼロ電圧検出 (ZVD) などがあります。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されます。報告されるフォルトには、過熱、過電流、UVLO の監視があります。ゼロ電圧検出 (ZVD) 機能は、ゼロ電圧スイッチング (ZVS) が実現されたときに、ZVD ピンからのパルス出力を提供できます。