10 改訂履歴
Changes from Revision N (June 2024) to Revision O (September 2025)
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「特長」の Vn = 18nV/√Hz を Vn = 37nV/√Hz に変更Go
- 「製品情報」表を更新Go
- 図 1 および論理記号の図 2 の TL081 (各アンプ) で TL081 を TL081 SOIC のみに変更Go
- 図 4-1 および図 4-2 のピン名を V- から VCC– に、V+ から VCC+ に更新Go
- 図 4-3 のキャプションを更新Go
- 図 4-4 のキャプションを更新Go
- 表 4-2 の「TL081x」を「TL081C」に変更Go
- HBM 値を 2000V から 1500V に更新Go
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THD+N 比対周波数、THD+N 対出力振幅、および CMRR と PSRR 対周波数のプロットを削除Go
- 図 6-4、テスト図 4 に「(SO パッケージのみ)」を追加Go
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「システム例」セクションを削除Go
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「レイアウト ガイドライン」の 2 番目の箇条書き項目を更新Go
- 「デバイスの命名規則」」の表を追加Go
Changes from Revision M (December 2021) to Revision N (June 2024)
- 「絶対最大定格」、「ESD 定格」、「推奨動作条件」、「熱に関する情報」の各セクションで、TL08xH および TL08xx の仕様を結合するように変更Go
- 「電気的特性」の表で、TL08xC、TL08xAC、TL08xBC、TL08xI、TL08xM の 各仕様を結合するように変更Go
- すべての非 NS / 非PS パッケージ、および非 TL08xM デバイスのゲイン帯域幅を、3MHz~5.25MHz に拡大Go
- TL08xC、TL08xAC、TL08xBC、TL08xI、TL08xM の「スイッチング特性」の表を結合し、「電気的特性 (AC)」に名前を変更Go
- すべての非 PS/非 NS パッケージ、およびすべての非 TL08xM デバイスの、1kHz での入力電圧ノイズ密度を、37nV/√Hz に変更Go
- すべての 非 PS/非 NS パッケージと、すべての非 TL08xM デバイスで、THD+N を 0.00012% に変更Go
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「機能ブロック図」、「機能説明」の各セクションを更新Go
Changes from Revision L (July 2021) to Revision M (December 2021)
- 「ピン構成および機能」セクションで、DCK のピン配置の図と表を訂正Go