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-40℃ ~ 125℃ の動作温度範囲、デュアル、40V、5.25MHz、4mV オフセット電圧、20V/μs、入力電圧から V+ までの電圧範囲に対応するオペアンプ

製品詳細

Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 40 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 4.5 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 5.25 Slew rate (typ) (V/µs) 20 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4 Iq per channel (typ) (mA) 0.9375 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 37 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 2 Features Cost Optimized, EMI Hardened, Standard Amps Input bias current (max) (pA) 120 CMRR (typ) (dB) 105 Iout (typ) (A) 0.026 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.5 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.105 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.115
Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 40 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 4.5 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 5.25 Slew rate (typ) (V/µs) 20 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4 Iq per channel (typ) (mA) 0.9375 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 37 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 2 Features Cost Optimized, EMI Hardened, Standard Amps Input bias current (max) (pA) 120 CMRR (typ) (dB) 105 Iout (typ) (A) 0.026 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.5 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.105 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.115
TSSOP (PW) 8 19.2 mm² (3 mm × 6.4 mm) SOT-23-THN (DDF) 8 8.12 mm² (2.9 mm × 2.8 mm) SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • 高いスルー レート: 20V/µs (TL08xH、代表値)
  • 低いオフセット電圧:1mV (TL08xH、代表値)
  • 低いオフセット電圧ドリフト:2µV/°C
  • 低消費電力:940µA/ch (TL08xH、代表値)
  • 広い同相範囲と差動電圧範囲
    • 同相入力電圧範囲に VCC+ を含む
  • 低い入力バイアスとオフセット電流
  • 低ノイズ:f = 1kHz で Vn = 37nV/√Hz (代表値)
  • 出力短絡保護
  • 低い全高調波歪み:0.003% (標準値)
  • 広い電源電圧範囲:±2.25V~±20V、4.5V~40V
  • 高いスルー レート: 20V/µs (TL08xH、代表値)
  • 低いオフセット電圧:1mV (TL08xH、代表値)
  • 低いオフセット電圧ドリフト:2µV/°C
  • 低消費電力:940µA/ch (TL08xH、代表値)
  • 広い同相範囲と差動電圧範囲
    • 同相入力電圧範囲に VCC+ を含む
  • 低い入力バイアスとオフセット電流
  • 低ノイズ:f = 1kHz で Vn = 37nV/√Hz (代表値)
  • 出力短絡保護
  • 低い全高調波歪み:0.003% (標準値)
  • 広い電源電圧範囲:±2.25V~±20V、4.5V~40V

TL08xH (TL081H、TL082H、TL084H) ファミリのデバイスは、業界標準の TL08x (TL081、TL082、TL084) デバイスの次世代バージョンです。これらのデバイスは、低オフセット (1mV、代表値)、高スルーレート (20V/µs)、正電源への同相入力などの特長を備え、コスト重視のアプリケーション向けに最適です。高 ESD (1.5kV、HBM)、EMI および RF フィルタの内蔵、-40℃~125℃の温度範囲での動作により、TL08xH デバイスは最も過酷で要求の厳しいアプリケーションで使用できます。

TL08xH (TL081H、TL082H、TL084H) ファミリのデバイスは、業界標準の TL08x (TL081、TL082、TL084) デバイスの次世代バージョンです。これらのデバイスは、低オフセット (1mV、代表値)、高スルーレート (20V/µs)、正電源への同相入力などの特長を備え、コスト重視のアプリケーション向けに最適です。高 ESD (1.5kV、HBM)、EMI および RF フィルタの内蔵、-40℃~125℃の温度範囲での動作により、TL08xH デバイスは最も過酷で要求の厳しいアプリケーションで使用できます。

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技術資料

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