-40℃ ~ 125℃ の動作温度範囲、デュアル、40V、5.25MHz、4mV オフセット電圧、20V/μs、入力電圧から V+ までの電圧範囲に対応するオペアンプ

製品詳細

Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 40 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 4.5 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 5.25 Slew rate (typ) (V/µs) 20 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4 Iq per channel (typ) (mA) 0.9375 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 37 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 2 Features Cost Optimized, EMI Hardened, Standard Amps Input bias current (max) (pA) 120 CMRR (typ) (dB) 105 Iout (typ) (A) 0.026 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.5 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.105 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.115
Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 40 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 4.5 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 5.25 Slew rate (typ) (V/µs) 20 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 4 Iq per channel (typ) (mA) 0.9375 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 37 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 2 Features Cost Optimized, EMI Hardened, Standard Amps Input bias current (max) (pA) 120 CMRR (typ) (dB) 105 Iout (typ) (A) 0.026 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.5 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.105 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.115
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOT-23-THN (DDF) 8 8.12 mm² 2.9 x 2.8 TSSOP (PW) 8 19.2 mm² 3 x 6.4
  • 高いスルーレート:20V/µs (TL08xH、代表値)
  • 低いオフセット電圧:1mV (TL08xH、代表値)
  • 低いオフセット電圧ドリフト:2µV/℃
  • 低消費電力:940µA/ch (TL08xH、代表値)
  • 広い同相範囲と差動電圧範囲
    • 同相入力電圧範囲に VCC+ を含む
  • 低い入力バイアスとオフセット電流
  • 低ノイズ:f = 1kHz で Vn = 18nV/√Hz (代表値)
  • 出力短絡保護
  • 低い全高調波歪み:0.003% (標準値)
  • 広い電源電圧範囲:±2.25V~±20V、4.5V~40V
  • 高いスルーレート:20V/µs (TL08xH、代表値)
  • 低いオフセット電圧:1mV (TL08xH、代表値)
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  • 低消費電力:940µA/ch (TL08xH、代表値)
  • 広い同相範囲と差動電圧範囲
    • 同相入力電圧範囲に VCC+ を含む
  • 低い入力バイアスとオフセット電流
  • 低ノイズ:f = 1kHz で Vn = 18nV/√Hz (代表値)
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  • 広い電源電圧範囲:±2.25V~±20V、4.5V~40V

TL08xH (TL081H、TL082H、TL084H) ファミリのデバイスは、業界標準の TL08x (TL081、TL082、TL084) デバイスの次世代バージョンです。これらのデバイスは、低オフセット (1mV、代表値)、高スルーレート (20V/µs)、正電源への同相入力などの特長を備え、コスト重視のアプリケーション向けに最適です。高 ESD (1.5kV、HBM)、EMI および RF フィルタの内蔵、-40℃~125℃の温度範囲での動作により、TL08xH デバイスは最も過酷で要求の厳しいアプリケーションで使用できます。

TL08xH (TL081H、TL082H、TL084H) ファミリのデバイスは、業界標準の TL08x (TL081、TL082、TL084) デバイスの次世代バージョンです。これらのデバイスは、低オフセット (1mV、代表値)、高スルーレート (20V/µs)、正電源への同相入力などの特長を備え、コスト重視のアプリケーション向けに最適です。高 ESD (1.5kV、HBM)、EMI および RF フィルタの内蔵、-40℃~125℃の温度範囲での動作により、TL08xH デバイスは最も過酷で要求の厳しいアプリケーションで使用できます。

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技術資料

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* データシート TL08xx FET入力オペアンプ データシート (Rev. N 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.N) PDF | HTML 2024年 6月 21日
Analog Design Journal Second-sourcing options for small-package amplifiers 2018年 3月 26日

設計および開発

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  • DRL(SOT563-6)
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ユーザー ガイド: PDF
英語版 (Rev.A): PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
SOT-23-THN (DDF) 8 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 8 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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