JAJSPR5B February   2023  – February 2024 TLVM23615 , TLVM23625

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. デバイス比較表
  6. ピン構成および機能
  7. 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 システム特性
    7. 6.7 代表的特性
  8. 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  入力電圧範囲
      2. 7.3.2  出力電圧の選択
      3. 7.3.3  入力コンデンサ
      4. 7.3.4  出力コンデンサ
      5. 7.3.5  イネーブル、起動、およびシャットダウン
      6. 7.3.6  スイッチング周波数 (RT)
      7. 7.3.7  パワー グッド出力動作
      8. 7.3.8  内部 LDO、VCC、VOUT/FB 入力
      9. 7.3.9  ブートストラップ電圧および VBOOT-UVLO (BOOT 端子)
      10. 7.3.10 ソフト スタートとドロップアウトからの回復
        1. 7.3.10.1 ドロップアウトからの回復
      11. 7.3.11 過電流保護 (ヒカップ モード)
      12. 7.3.12 サーマル シャットダウン
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 シャットダウン・モード
      2. 7.4.2 スタンバイ モード
      3. 7.4.3 アクティブ モード
        1. 7.4.3.1 CCM モード
        2. 7.4.3.2 自動モード – 軽負荷動作
          1. 7.4.3.2.1 ダイオード エミュレーション
          2. 7.4.3.2.2 周波数低減
        3. 7.4.3.3 FPWM モード - 軽負荷動作
        4. 7.4.3.4 最小オン時間 (高入力電圧) での動作
        5. 7.4.3.5 ドロップアウト
  9. アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1  WEBENCH® ツールによるカスタム設計
        2. 8.2.2.2  スイッチング周波数の選択
        3. 8.2.2.3  出力電圧の設定
        4. 8.2.2.4  入力コンデンサの選択
        5. 8.2.2.5  出力コンデンサの選択
        6. 8.2.2.6  VCC
        7. 8.2.2.7  CFF の選択
        8. 8.2.2.8  パワー グッド信号
        9. 8.2.2.9  最大周囲温度
        10. 8.2.2.10 その他の接続
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 設計のベスト プラクティス
    4. 8.4 電源に関する推奨事項
    5. 8.5 レイアウト
      1. 8.5.1 レイアウトのガイドライン
        1. 8.5.1.1 グランドと熱に関する考慮事項
      2. 8.5.2 レイアウト例
  10. デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 デバイス サポート
      1. 9.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
      2. 9.1.2 開発サポート
        1. 9.1.2.1 WEBENCH® ツールによるカスタム設計
      3. 9.1.3 デバイス命名規則
    2. 9.2 ドキュメントのサポート
      1. 9.2.1 関連資料
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

グランドと熱に関する考慮事項

前述のように、テキサス・インスツルメンツでは、中間層の 1 つをソリッド グランド プレーンとして使用することを推奨しています。グランド プレーンは敏感な回路やパターンのシールドとして機能するだけでなく、制御回路の低ノイズ基準電位を提供します。バイパス コンデンサの隣にあるビアを使用して、GND ピンをグランド プレーンに接続します。GND パターンは、VIN および SW パターンと同様に、グランド プレーンの片方に固定する必要があります。グランド プレーンのもう片方はノイズが非常に少ないため、ノイズの影響を受けやすい配線に使用します。

GND ピンの近くに十分な面積の銅箔を配置することで、適切なデバイス ヒートシンクを設けることを推奨します。レイアウト例については、
図 8-23 を参照してください。システムのグランド プレーンでは、効率の高い放熱のために、レイヤの上下に出来る限り多くの銅を使用します。4 つの層の銅厚が上からそれぞれ 2 オンス、1 オンス、1 オンス、2 オンスとなっている 4 層基板を使用します。十分な厚さの銅箔と適切なレイアウトを備えた 4 層基板は、低インピーダンスの電流導通、適切なシールド効果、低熱抵抗を実現します。