JAJS014X September   2003  – May 2025 TPS736

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 熱に関する情報
    6. 5.6 電気的特性
    7. 5.7 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 出力ノイズ
      2. 6.3.2 内部電流制限
      3. 6.3.3 イネーブルおよびシャットダウン
      4. 6.3.4 逆電流
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 1.7V ≤ VIN ≤ 5.5V および VEN ≥ 1.7V での通常動作
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1 入出力コンデンサの要件
        2. 7.2.2.2 ドロップアウト電圧
        3. 7.2.2.3 過渡応答
      3. 7.2.3 アプリケーション曲線
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
        1. 7.4.1.1 電力散逸
        2. 7.4.1.2 過熱保護
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 デバイス サポート
      1. 8.1.1 開発サポート
        1. 8.1.1.1 評価基板
        2. 8.1.1.2 SPICE モデル
      2. 8.1.2 デバイスの命名規則
    2. 8.2 ドキュメントのサポート
      1. 8.2.1 関連資料
    3. 8.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 商標
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.7 代表的特性

すべての電圧バージョンで、TJ = 25°C、VIN = VOUT(nom) + 0.5V、IOUT = 10mA、VEN = 1.7V、COUT = 0.1μF の条件下において、特に記述のない限り。

TPS736 ロード レギュレーション
レガシー シリコン
図 5-1 ロード レギュレーション
TPS736 ライン レギュレーション
レガシー シリコン
図 5-3 ライン レギュレーション
TPS736 ドロップアウト電圧と出力電流との関係
レガシー シリコン
図 5-5 ドロップアウト電圧と出力電流との関係
TPS736 ドロップアウト電圧 vs 温度
レガシー シリコン
図 5-7 ドロップアウト電圧 vs 温度
TPS736 出力電圧精度のヒストグラム
レガシー シリコン
図 5-9 出力電圧精度のヒストグラム
TPS736 グランドピンの電流と出力電流との関係
レガシー シリコン
図 5-11 グランドピンの電流と出力電流との関係
TPS736 グランドピンの電流と温度との関係
レガシー シリコン
図 5-13 グランドピンの電流と温度との関係
TPS736 シャットダウン時のグランドピンの電流と温度との関係
レガシー シリコン
図 5-15 シャットダウン時のグランドピンの電流と温度との関係
TPS736 電流制限と VOUT (フォールドバック) の関係
レガシー シリコン
図 5-17 電流制限と VOUT (フォールドバック) の関係
TPS736 電流制限と VIN との関係
レガシー シリコン
図 5-19 電流制限と VIN との関係
TPS736 電流制限と温度との関係
レガシー シリコン
図 5-21 電流制限と温度との関係
TPS736 PSRR (リップル除去) と周波数との関係
レガシー シリコン
図 5-23 PSRR (リップル除去) と周波数との関係
TPS736 PSRR (リップル除去) と VIN - VOUT との関係
レガシー シリコン
図 5-25 PSRR (リップル除去) と VIN - VOUT との関係
TPS736 ノイズ スペクトル密度 CNR = 0μF
レガシー シリコン
図 5-27 ノイズ スペクトル密度 CNR = 0μF
TPS736 ノイズ スペクトル密度 CNR = 0.01μF
レガシー シリコン
図 5-29 ノイズ スペクトル密度 CNR = 0.01μF
TPS736 RMS ノイズ電圧と COUT との関係
レガシー シリコン
図 5-31 RMS ノイズ電圧と COUT との関係
TPS736 RMS ノイズ電圧と CNR との関係
レガシー シリコン
図 5-33 RMS ノイズ電圧と CNR との関係
TPS736 TPS73633 の負荷過渡応答
レガシー シリコン
図 5-35 TPS73633 の負荷過渡応答
TPS736 TPS73633 のライン過渡応答
レガシー シリコン
図 5-37 TPS73633 のライン過渡応答
TPS736 TPS73633 のターンオン応答
レガシー シリコン
図 5-39 TPS73633 のターンオン応答
TPS736 TPS73633 のターンオフ応答
レガシー シリコン
図 5-41 TPS73633 のターンオフ応答
TPS736 TPS73633 パワーアップ、パワーダウン
レガシー シリコン
図 5-43 TPS73633 パワーアップ、パワーダウン
TPS736 IENABLE vs 温度
レガシー シリコン
図 5-45 IENABLE vs 温度
TPS736 TPS73601 の RMS ノイズ電圧と CFB との関係
レガシー シリコン
図 5-47 TPS73601 の RMS ノイズ電圧と CFB との関係
TPS736 TPS73601 IFB と温度との関係
レガシー シリコン
図 5-49 TPS73601 IFB と温度との関係
TPS736 TPS73601 の負荷過渡応答、可変バージョン
レガシー シリコン
図 5-51 TPS73601 の負荷過渡応答、可変バージョン
TPS736 TPS73601 のライン過渡応答、可変バージョン
レガシー シリコン
図 5-53 TPS73601 のライン過渡応答、可変バージョン
TPS736 ロード レギュレーション
新しいシリコン
図 5-2 ロード レギュレーション
TPS736 ライン レギュレーション
新しいシリコン
図 5-4 ライン レギュレーション
TPS736 ドロップアウト電圧と出力電流との関係
新しいシリコン
図 5-6 ドロップアウト電圧と出力電流との関係
TPS736 ドロップアウト電圧 vs 温度
新しいシリコン
図 5-8 ドロップアウト電圧 vs 温度
TPS736 出力電圧ドリフトのヒストグラム
レガシー シリコン
図 5-10 出力電圧ドリフトのヒストグラム
TPS736 グランドピンの電流と出力電流との関係
新しいシリコン
図 5-12 グランドピンの電流と出力電流との関係
TPS736 グランドピンの電流と温度との関係
新しいシリコン
図 5-14 グランドピンの電流と温度との関係
TPS736 シャットダウン時のグランドピンの電流と温度との関係
新しいシリコン
図 5-16 シャットダウン時のグランドピンの電流と温度との関係
TPS736 電流制限と VOUT (フォールドバック) の関係
新しいシリコン
図 5-18 電流制限と VOUT (フォールドバック) の関係
TPS736 電流制限と VIN との関係
新しいシリコン
図 5-20 電流制限と VIN との関係
TPS736 電流制限と温度との関係
新しいシリコン
図 5-22 電流制限と温度との関係
TPS736 PSRR (リップル除去) と周波数との関係
新しいシリコン
図 5-24 PSRR (リップル除去) と周波数との関係
TPS736 PSRR (リップル除去) と VIN - VOUT との関係
新しいシリコン
図 5-26 PSRR (リップル除去) と VIN - VOUT との関係
TPS736 ノイズ スペクトル密度 CNR = 0μF
新しいシリコン
図 5-28 ノイズ スペクトル密度 CNR = 0μF
TPS736 ノイズ スペクトル密度 CNR = 0.01μF
新しいシリコン
図 5-30 ノイズ スペクトル密度 CNR = 0.01μF
TPS736 RMS ノイズ電圧と COUT との関係
新しいシリコン
図 5-32 RMS ノイズ電圧と COUT との関係
TPS736 RMS ノイズ電圧と CNR との関係
新しいシリコン
図 5-34 RMS ノイズ電圧と CNR との関係
TPS736 TPS73633 の負荷過渡応答
新しいシリコン
図 5-36 TPS73633 の負荷過渡応答
TPS736 TPS73633 のライン過渡応答
新しいシリコン
図 5-38 TPS73633 のライン過渡応答
TPS736 TPS73633 のターンオン応答
新しいシリコン
図 5-40 TPS73633 のターンオン応答
TPS736 TPS73633 のターンオフ応答
新しいシリコン
図 5-42 TPS73633 のターンオフ応答
TPS736 TPS73633 パワーアップ、パワーダウン
新しいシリコン
図 5-44 TPS73633 パワーアップ、パワーダウン
TPS736 IENABLE vs 温度
新しいシリコン
図 5-46 IENABLE vs 温度
TPS736 TPS73601 の RMS ノイズ電圧と CFB との関係
新しいシリコン
図 5-48 TPS73601 の RMS ノイズ電圧と CFB との関係
TPS736 TPS73601 IFB と温度との関係
新しいシリコン
図 5-50 TPS73601 IFB と温度との関係
TPS736 TPS73601 の負荷過渡応答、可変バージョン
新しいシリコン
図 5-52 TPS73601 の負荷過渡応答、可変バージョン
TPS736 TPS73601 のライン過渡応答、可変バージョン
新しいシリコン
図 5-54 TPS73601 のライン過渡応答、可変バージョン