9 改訂履歴
Changes from Revision W (May 2025) to Revision X (May 2025)
- ドキュメント全体にわたって表、図、相互参照の採番方法を更新Go
- 新しいシリコンのグランド ピン電流仕様を追加Go
Changes from Revision V (September 2024) to Revision W (May 2025)
- DRB0008A パッケージ外形の DRB (VSON) を更新Go
- 新しいシリコンを DBV の熱に関する情報に追加Go
- EN の説明を変更し、イネーブル ピンおよびシャットダウン セクションで、EN がレギュレータをオンにするための情報を追加Go
- 「パッケージ実装」セクションを削除Go
- 「デバイスの項目表記」表で、従来のチップ を 従来のシリコン に変更Go
Changes from Revision U (January 2015) to Revision V (September 2024)
- ドキュメント全体にわたって表、図、相互参照の採番方法を更新Go
- ドキュメントに M3 デバイスを追加し、M3 の新しいシリコンの熱に関する情報の表を追加
Go
- 最大出力電流を変更Go
- VFB の標準値を変更Go
- 新しいシリコンの電流制限を追加Go
-
「代表的特性」 セクションに新しいシリコン プロットを追加Go
-
設計パラメータ (固定電圧バージョン) 表の 出力電流 の値を 500mA から 400mA に変更Go
-
詳細な設計手順 セクションを更新：ドロップアウト電圧の値を 0.5A から 0.4A に変更、最大ドロップアウト電圧を推定値から 200mV に変更Go
- 「アプリケーション曲線」セクションに新しいシリコン プロットを追加Go
-
DBV パッケージ調整可能バージョンのレイアウト例 から DCQ パッケージ固定バージョンのレイアウト例 までの図を レイアウト例 セクションに追加Go
-
デバイスの命名規則 M3 の情報を追加Go