JAJSPD9 December   2022 UCC5871-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4Revision History
  5. 5Pin Configuration and Functions
  6. 6Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Power Ratings
    6. 6.6  Insulation Specifications
    7. 6.7  Safety Limiting Values
    8. 6.8  Electrical Characteristics
    9. 6.9  SPI Timing Requirements
    10. 6.10 Switching Characteristics
    11. 6.11 Typical Characteristics
  7. 7Layout
    1. 7.1 Layout Guidelines
      1. 7.1.1 Component Placement
      2. 7.1.2 Grounding Considerations
      3. 7.1.3 High-Voltage Considerations
      4. 7.1.4 Thermal Considerations
    2. 7.2 Layout Example
  8. 8Device and Documentation Support
    1. 8.1 Device Support
      1. 8.1.1 Third-Party Products Disclaimer
    2. 8.2 Documentation Support
      1. 8.2.1 Related Documentation
    3. 8.3 Receiving Notification of Documentation Updates
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 Trademarks
    6. 8.6 Electrostatic Discharge Caution
    7. 8.7 Glossary
  9. 9Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

UCC5871-Q1 デバイスは、EV/HEV アプリケーションの大電力 SiC MOSFET および IGBT を駆動するための高度に構成可能な絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。シャント抵抗を使った過電流保護、NTC を使った過熱保護、DESAT 検出などのパワー・トランジスタ保護機能には、これらのフォルト中の選択可能なソフト・ターンオフまたは 2 レベルのターンオフが含まれます。アプリケーションのサイズをさらに小さくするため、UCC5871-Q1 は、スイッチング中の 4A アクティブ・ミラー・クランプとドライバに電力が供給されていない間のアクティブ・ゲート・プルダウンを内蔵しています。内蔵の 10 ビット ADC を使うと、最大 6 つのアナログ入力とゲート・ドライバ温度を監視することでシステム管理を強化できます。システム設計を簡素化する診断および検出機能を内蔵しています。これらの機能のパラメータとスレッショルドは SPI インターフェイスを使って設定できるため、本デバイスはほとんどすべての SiC MOSFET または IGBT と組み合わせて使用できます。

製品情報
部品番号 (1) パッケージ 本体サイズ (公称)
UCC5871-Q1 SSOP (36) 12.8mm × 7.5mm
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
概略回路図