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UCC5871-Q1

プレビュー

車載対応、高度な保護機能搭載、30A、絶縁型、5.7kV VRMS、IGBT/SiC MOSFET ゲート・ドライバ

製品詳細

Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 1500 Output VCC/VDD (Max) (V) 30 Output VCC/VDD (Min) (V) 15 Input VCC (Min) (V) 3.3 Input VCC (Max) (V) 5 Prop delay (ns) 150 Operating temperature range (C) -40 to 125
Number of channels (#) 1 Isolation rating (Vrms) 5700 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 1500 Output VCC/VDD (Max) (V) 30 Output VCC/VDD (Min) (V) 15 Input VCC (Min) (V) 3.3 Input VCC (Max) (V) 5 Prop delay (ns) 150 Operating temperature range (C) -40 to 125
SSOP (DWJ) 36
  • 分割出力ドライバは、30A のピーク・ソース (供給) 電流と 30A のピーク・シンク (吸い込み) 電流を実現
  • ゲート・ドライブの強度に応じて「即時」調整可能
  • 150ns (最大値) の伝搬遅延時間とプログラマブルな最小パルス除去を備えたインターロックおよび貫通電流保護機能
  • 1 次側と 2 次側のアクティブ短絡をサポート
  • 設定可能なパワー・トランジスタ保護機能
    • DESAT に基づく短絡保護機能
    • シャント抵抗を使った過電流および短絡保護機能
    • NTC を使った過熱保護機能
    • パワー・トランジスタ障害時のプログラマブル・ソフト・ターンオフ (STO) と 2 レベル・ターンオフ (2LTOFF)
  • 機能安全準拠
  • 診断機能内蔵:
    • 保護コンパレータのための内蔵セルフ・テスト (BIST)
    • IN+ からトランジスタのゲートへの経路の整合性
    • パワー・トランジスタのスレッショルドの監視
    • 内部クロックの監視
    • フォルト・アラーム (nFLT1) および警告 (nFLT2) 出力
  • 内蔵の 4A アクティブ・ミラー・クランプまたは外付けのミラー・クランプ・トランジスタ用外部駆動 (任意)
  • 先進の高電圧クランプ制御
  • 内部および外部電源の低電圧および過電圧保護機能
  • 低電源またはフローティング入力時の、アクティブ出力プルダウンおよびデフォルト LOW 出力
  • ドライバ・ダイ温度センシングおよび過熱保護機能
  • VCM = 1000V で 100kV/µs 以上のコモン・モード過渡耐性 (CMTI)
  • SPI ベースのデバイス再構成、検証、監視、診断機能
  • 内蔵 10 ビット ADC によるパワー・トランジスタ温度、電圧、電流の監視
  • 安全関連認証:
    • UL1577 に準拠した絶縁耐圧: 5700VRMS、1 分間 (予定)
    • VDE0884-11 に準拠した強化絶縁耐圧:8kV (予定)
  • 分割出力ドライバは、30A のピーク・ソース (供給) 電流と 30A のピーク・シンク (吸い込み) 電流を実現
  • ゲート・ドライブの強度に応じて「即時」調整可能
  • 150ns (最大値) の伝搬遅延時間とプログラマブルな最小パルス除去を備えたインターロックおよび貫通電流保護機能
  • 1 次側と 2 次側のアクティブ短絡をサポート
  • 設定可能なパワー・トランジスタ保護機能
    • DESAT に基づく短絡保護機能
    • シャント抵抗を使った過電流および短絡保護機能
    • NTC を使った過熱保護機能
    • パワー・トランジスタ障害時のプログラマブル・ソフト・ターンオフ (STO) と 2 レベル・ターンオフ (2LTOFF)
  • 機能安全準拠
  • 診断機能内蔵:
    • 保護コンパレータのための内蔵セルフ・テスト (BIST)
    • IN+ からトランジスタのゲートへの経路の整合性
    • パワー・トランジスタのスレッショルドの監視
    • 内部クロックの監視
    • フォルト・アラーム (nFLT1) および警告 (nFLT2) 出力
  • 内蔵の 4A アクティブ・ミラー・クランプまたは外付けのミラー・クランプ・トランジスタ用外部駆動 (任意)
  • 先進の高電圧クランプ制御
  • 内部および外部電源の低電圧および過電圧保護機能
  • 低電源またはフローティング入力時の、アクティブ出力プルダウンおよびデフォルト LOW 出力
  • ドライバ・ダイ温度センシングおよび過熱保護機能
  • VCM = 1000V で 100kV/µs 以上のコモン・モード過渡耐性 (CMTI)
  • SPI ベースのデバイス再構成、検証、監視、診断機能
  • 内蔵 10 ビット ADC によるパワー・トランジスタ温度、電圧、電流の監視
  • 安全関連認証:
    • UL1577 に準拠した絶縁耐圧: 5700VRMS、1 分間 (予定)
    • VDE0884-11 に準拠した強化絶縁耐圧:8kV (予定)

UCC5871-Q1 デバイスは、EV/HEV アプリケーションの大電力 SiC MOSFET および IGBT を駆動するための高度に構成可能な絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。シャント抵抗を使った過電流保護、NTC を使った過熱保護、DESAT 検出などのパワー・トランジスタ保護機能には、これらのフォルト中の選択可能なソフト・ターンオフまたは 2 レベルのターンオフが含まれます。アプリケーションのサイズをさらに小さくするため、 UCC5871-Q1 は、スイッチング中の 4A アクティブ・ミラー・クランプとドライバに電力が供給されていない間のアクティブ・ゲート・プルダウンを内蔵しています。内蔵の 10 ビット ADC を使うと、最大 6 つのアナログ入力とゲート・ドライバ温度を監視することでシステム管理を強化できます。ASIL-D 準拠システムの設計を簡素化する診断および検出機能を内蔵しています。これらの機能のパラメータとスレッショルドは SPI インターフェイスを使って設定できるため、本デバイスはほとんどすべての SiC MOSFET または IGBT と組み合わせて使用できます。

UCC5871-Q1 デバイスは、EV/HEV アプリケーションの大電力 SiC MOSFET および IGBT を駆動するための高度に構成可能な絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。シャント抵抗を使った過電流保護、NTC を使った過熱保護、DESAT 検出などのパワー・トランジスタ保護機能には、これらのフォルト中の選択可能なソフト・ターンオフまたは 2 レベルのターンオフが含まれます。アプリケーションのサイズをさらに小さくするため、 UCC5871-Q1 は、スイッチング中の 4A アクティブ・ミラー・クランプとドライバに電力が供給されていない間のアクティブ・ゲート・プルダウンを内蔵しています。内蔵の 10 ビット ADC を使うと、最大 6 つのアナログ入力とゲート・ドライバ温度を監視することでシステム管理を強化できます。ASIL-D 準拠システムの設計を簡素化する診断および検出機能を内蔵しています。これらの機能のパラメータとスレッショルドは SPI インターフェイスを使って設定できるため、本デバイスはほとんどすべての SiC MOSFET または IGBT と組み合わせて使用できます。

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技術資料

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* データシート UCC5871-Q1 30A 絶縁型 IGBT/SiC MOSFET ゲート・ドライバ、車載アプリケーション用先進保護機能付き データシート PDF | HTML 英語版をダウンロード PDF | HTML 2021年 3月 19日
技術記事 Reducing power loss and thermal dissipation in SiC traction inverters 2022年 6月 10日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 3: minimum input pulse 2018年 9月 19日
技術記事 How to achieve higher system robustness in DC drives, part 2: interlock and deadtime 2018年 5月 30日
技術記事 Boosting efficiency for your solar inverter designs 2018年 5月 24日

設計および開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

評価ボード

UCC5870QDWJEVM-026 — UCC5870-Q1 functional safety compliant 15-A isolated IGBT/SiC MOSFET gate driver evaluation module

UCC5870-Q1 評価基板は、先進的な保護機能を搭載した、TI の 15A 絶縁型シングルチャネル・ゲート・ドライバである UCC5870-Q1 を評価する目的で設計してあります。このドライバは、HEV/EV アプリケーションで大電力の SiC MOSFET と IGBT を駆動することを想定しています。アクティブ・ミラー・クランプ、DESAT 検出、シャント電流センシングのサポート、ソフト・ターンオフ、VCE の過電圧保護、ゲート・ドライバ電源の UVLO と OVLO (...)
TI.com で取り扱いなし
評価ボード

UCC5870QEVM-045 — UCC5870-Q1 機能安全準拠、15A、絶縁、3 相、IGBT/SiC MOSFET ゲート・ドライバの EVM (評価基板)

UCC5870-Q1 3 相評価基板 (EVM) は、先進的な保護機能を搭載した、TI の 15A 絶縁型シングルチャネル・ゲート・ドライバを評価するための設計を採用しています。この EVM (評価基板) は、EV/HV (電気自動車とハイブリッド車) アプリケーションで大電力の SiC MOSFET と IGBT を駆動することを想定しています。この 3 相 EVM (評価基板) は、ドライバのシリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI) 向けソフトウェアのデバッグと、診断、保護、監視に関するドライバの高度な機能を検討する目的で使用できます。

TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
パッケージ ピン数 ダウンロード
SSOP (DWJ) 36 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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