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UCC5871-Q1

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車載対応、高度な保護機能搭載、30A、絶縁型、5.7kV VRMS、IGBT/SiC MOSFET ゲート ドライバ

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UCC5871-Q1

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製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 Features Active miller clamp, Fault reporting, Programmable dead time, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 3.3 Input supply voltage (max) (V) 5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 150 Fall time (ns) 150 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 Features Active miller clamp, Fault reporting, Programmable dead time, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 3.3 Input supply voltage (max) (V) 5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 150 Fall time (ns) 150 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
SSOP (DWJ) 36 131.84 mm² 12.8 x 10.3
  • 分割出力ドライバは、30A のピーク・ソース (供給) 電流と 30A のピーク・シンク (吸い込み) 電流を実現
  • 150ns (最大値) の伝搬遅延時間とプログラマブルな最小パルス除去を備えたインターロックおよび貫通電流保護機能
  • 1 次側と 2 次側のアクティブ短絡 (ASC) をサポート
  • 設定可能なパワー・トランジスタ保護機能
    • DESAT に基づく短絡保護機能
    • シャント抵抗を使った過電流および短絡保護機能
    • NTC による過熱保護
    • パワー・トランジスタ障害時のプログラマブル・ソフト・ターンオフ (STO) と 2 レベル・ターンオフ (2LTOFF)
  • 機能安全準拠
  • 診断機能内蔵：
    • 保護コンパレータのための内蔵セルフ・テスト (BIST)
    • IN+ からトランジスタのゲートへの経路の整合性
    • パワー・トランジスタのスレッショルドの監視
    • 内部クロックの監視
    • フォルト・アラーム (nFLT1) および警告 (nFLT2) 出力
  • 内蔵の 4A アクティブ・ミラー・クランプまたは外付けのミラー・クランプ・トランジスタ用外部駆動 (任意)
  • 先進の高電圧クランプ制御
  • 内部および外部電源の低電圧および過電圧保護
  • 低電源またはフローティング入力時の、アクティブ出力プルダウンおよびデフォルト Low 出力
  • ドライバ・ダイ温度センシングおよび過熱保護機能
  • VCM = 1000V で 100kV/µs 以上のコモン・モード過渡耐性 (CMTI)
  • SPI ベースのデバイス再構成、検証、監視、診断機能
  • 内蔵 10 ビット ADC によるパワー・トランジスタ温度、電圧、電流の監視
  • 分割出力ドライバは、30A のピーク・ソース (供給) 電流と 30A のピーク・シンク (吸い込み) 電流を実現
  • 150ns (最大値) の伝搬遅延時間とプログラマブルな最小パルス除去を備えたインターロックおよび貫通電流保護機能
  • 1 次側と 2 次側のアクティブ短絡 (ASC) をサポート
  • 設定可能なパワー・トランジスタ保護機能
    • DESAT に基づく短絡保護機能
    • シャント抵抗を使った過電流および短絡保護機能
    • NTC による過熱保護
    • パワー・トランジスタ障害時のプログラマブル・ソフト・ターンオフ (STO) と 2 レベル・ターンオフ (2LTOFF)
  • 機能安全準拠
  • 診断機能内蔵：
    • 保護コンパレータのための内蔵セルフ・テスト (BIST)
    • IN+ からトランジスタのゲートへの経路の整合性
    • パワー・トランジスタのスレッショルドの監視
    • 内部クロックの監視
    • フォルト・アラーム (nFLT1) および警告 (nFLT2) 出力
  • 内蔵の 4A アクティブ・ミラー・クランプまたは外付けのミラー・クランプ・トランジスタ用外部駆動 (任意)
  • 先進の高電圧クランプ制御
  • 内部および外部電源の低電圧および過電圧保護
  • 低電源またはフローティング入力時の、アクティブ出力プルダウンおよびデフォルト Low 出力
  • ドライバ・ダイ温度センシングおよび過熱保護機能
  • VCM = 1000V で 100kV/µs 以上のコモン・モード過渡耐性 (CMTI)
  • SPI ベースのデバイス再構成、検証、監視、診断機能
  • 内蔵 10 ビット ADC によるパワー・トランジスタ温度、電圧、電流の監視

UCC5871-Q1 デバイスは、EV/HEV アプリケーションの大電力 SiC MOSFET および IGBT を駆動するための高度に構成可能な絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。シャント抵抗を使った過電流保護、NTC を使った過熱保護、DESAT 検出などのパワー・トランジスタ保護機能には、これらのフォルト中の選択可能なソフト・ターンオフまたは 2 レベルのターンオフが含まれます。アプリケーションのサイズをさらに小さくするため、 UCC5871-Q1 は、スイッチング中の 4A アクティブ・ミラー・クランプとドライバに電力が供給されていない間のアクティブ・ゲート・プルダウンを内蔵しています。内蔵の 10 ビット ADC を使うと、最大 6 つのアナログ入力とゲート・ドライバ温度を監視することでシステム管理を強化できます。システム設計を簡素化する診断および検出機能を内蔵しています。これらの機能のパラメータとスレッショルドは SPI インターフェイスを使って設定できるため、本デバイスはほとんどすべての SiC MOSFET または IGBT と組み合わせて使用できます。

UCC5871-Q1 デバイスは、EV/HEV アプリケーションの大電力 SiC MOSFET および IGBT を駆動するための高度に構成可能な絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。シャント抵抗を使った過電流保護、NTC を使った過熱保護、DESAT 検出などのパワー・トランジスタ保護機能には、これらのフォルト中の選択可能なソフト・ターンオフまたは 2 レベルのターンオフが含まれます。アプリケーションのサイズをさらに小さくするため、 UCC5871-Q1 は、スイッチング中の 4A アクティブ・ミラー・クランプとドライバに電力が供給されていない間のアクティブ・ゲート・プルダウンを内蔵しています。内蔵の 10 ビット ADC を使うと、最大 6 つのアナログ入力とゲート・ドライバ温度を監視することでシステム管理を強化できます。システム設計を簡素化する診断および検出機能を内蔵しています。これらの機能のパラメータとスレッショルドは SPI インターフェイスを使って設定できるため、本デバイスはほとんどすべての SiC MOSFET または IGBT と組み合わせて使用できます。
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技術資料

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設計および開発

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評価ボード

UCC5870QEVM-045 — UCC5870-Q1 機能安全準拠、15A、絶縁、3 相、IGBT/SiC MOSFET ゲート・ドライバの EVM (評価基板)

UCC5870-Q1 3 相評価基板 (EVM) は、先進的な保護機能を搭載した、TI の 15A 絶縁型シングルチャネル ゲート ドライバを評価するための設計を採用しています。この評価基板 (EVM) は、EV/HV (電気自動車とハイブリッド車) アプリケーションで大電力の SiC MOSFET と IGBT を駆動することを想定しています。この 3 相 EVM (評価基板) は、ドライバのシリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI) 向けソフトウェアのデバッグと、診断、保護、監視に関するドライバの高度な機能を検討する目的で使用できます。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
評価基板 (EVM) 向けの GUI

UCC5870QDWJEVM-026-GUI — UCC5870-Q1 EVM GUI Software

UCC5870-Q1 EVM GUI Software
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
絶縁型ゲート・ドライバ
UCC5870-Q1 — 車載対応、IGBT/SiC FET 向け、3.75kVrms、30A、シングルチャネル機能安全絶縁型ゲート ドライバ UCC5871-Q1 — 車載対応、高度な保護機能搭載、30A、絶縁型、5.7kV VRMS、IGBT/SiC MOSFET ゲート ドライバ
ダウンロード
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

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リクエスト
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PMP22817 — 車載対応、SPI プログラマブル・ゲート・ドライバとトランス内蔵バイアス電源のリファレンス・デザイン

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試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SSOP (DWJ) 36 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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