本セクションの結果は、TMCS1123、TMCS1126、TMCS1127、および TMCS1133 に適用されます。

図 4-1 には、TMCS1123EVM の標準的なフットプリントを示します。

図 4-2 は、電流の増加に伴う各銅重量の熱結果を示しています。予想どおり、銅箔が厚いほど、基板が処理できる電流が大きくなります。グラフから、以下のことが分かります：

• 少なくとも銅箔厚が薄い領域では、銅箔量を 2 倍にすると、ほぼ同程度の性能向上が得られます。1 オンスから 2 オンスにすると、55A から 65A へと約 10A 向上します。4 オンスでは 75A の電流容量となり、2 オンスから 4 オンスへの倍増によって、さらに 10A 向上します。また、6 オンス銅箔では85 Aの電流容量を実現しており、同じ関係から、8 オンス銅箔でも同程度の性能が期待できます。
• ただし、4 オンスを超えるなど銅箔量が多くなると、電流容量の向上は次第に小さくなります。6 オンスは 5 オンスよりも、5 オンスは 4 オンスよりも優れていますが、これらの曲線は分布がかなり狭くなっており、最悪条件のデバイスの一部が、次の銅箔重量における最良条件の性能と同等になる場合があります。
• 前述したように、基板の製造公差や製造能力によって、基板ごとの熱特性が変化する可能性があります。例えば、1 オンスのデータを見ると、最も性能の低いデバイスが 165°C に達した時点で、最も性能の高いデバイスは 145°C にしか達していません。このため、ロット間のばらつきがあっても確実に動作させるために、設計時には十分なマージンを確保することが極めて重要です