TMCS1133-Q1

アクティブ

車載、AFR (周囲の影響除去) 機能とアラート搭載、1MHz、ホール効果電流センサ

製品詳細

Continuous current (max) (A) 82 Rating Automotive Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 33, 50, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 867, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Small-signal bandwidth (kHz) 1000 Sensitivity error (%) 0.4 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
Continuous current (max) (A) 82 Rating Automotive Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 33, 50, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 867, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Small-signal bandwidth (kHz) 1000 Sensitivity error (%) 0.4 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
SOIC (DVG) 10 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm)
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
    • 温度グレード 1:-40℃ ~ 125℃、TA
  • 機能安全対応
    • 機能安全システム設計に役立つ資料を利用可能
  • 高い連続電流能力:80ARMS
  • 堅牢な強化絶縁
  • 高精度
    • 感度誤差:±0.1%
    • 感度の温度ドリフト:±20ppm/°C
    • 感度の寿命ドリフト:±0.2%
    • オフセット誤差:±0.2mV
    • オフセット温度ドリフト:±10µV/℃
    • オフセット寿命ドリフト:±0.2mV
    • 非線形性:±0.1%
  • 外部の磁界に対する高い耐性
  • 高速応答
    • 信号帯域幅:1MHz
    • 応答時間:120ns
    • 伝搬遅延:50ns
    • 過電流検出応答:100ns
  • 動作電源電圧範囲:3V ~ 5.5V
  • 双方向および単方向の電流センシング
  • 複数の感度オプション:
    • 20mV/A~150mV/A の範囲
  • 安全関連の認定
    • UL 1577 部品認定プログラム
    • IEC/CB 62368-1
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
    • 温度グレード 1:-40℃ ~ 125℃、TA
  • 機能安全対応
    • 機能安全システム設計に役立つ資料を利用可能
  • 高い連続電流能力:80ARMS
  • 堅牢な強化絶縁
  • 高精度
    • 感度誤差:±0.1%
    • 感度の温度ドリフト:±20ppm/°C
    • 感度の寿命ドリフト:±0.2%
    • オフセット誤差:±0.2mV
    • オフセット温度ドリフト:±10µV/℃
    • オフセット寿命ドリフト:±0.2mV
    • 非線形性:±0.1%
  • 外部の磁界に対する高い耐性
  • 高速応答
    • 信号帯域幅:1MHz
    • 応答時間:120ns
    • 伝搬遅延:50ns
    • 過電流検出応答:100ns
  • 動作電源電圧範囲:3V ~ 5.5V
  • 双方向および単方向の電流センシング
  • 複数の感度オプション:
    • 20mV/A~150mV/A の範囲
  • 安全関連の認定
    • UL 1577 部品認定プログラム
    • IEC/CB 62368-1

TMCS1133-Q1 は、業界をリードする絶縁性と精度を備えたガルバニック絶縁ホール効果電流センサです。入力電流に比例する出力電圧により、優れた直線性と、あらゆる感度オプションで低ドリフトを実現しています。ドリフト補償を内蔵した高精度のシグナル コンディショニング回路は、の 1.4% と寿命全体にわたって、システム レベルのキャリブレーションを必要としない 1.4% 未満の最大感度誤差を達成しており、寿命と温度ドリフトの両方を含む 1 回限りの室温キャリブレーションで、0.9% 未満の最大感度誤差を達成しています。

AC または DC 入力電流は内部導体を流れ、そこで発生する磁界を、内蔵のオンチップ ホール効果センサで測定します。コアレス構造のため、磁気コンセントレータは不要です。差動ホール センサは、外部の浮遊磁界による干渉を排除します。導体抵抗が小さいと、測定可能な電流範囲が最大 ±96A まで拡大すると同時に、電力損失を最小化し、放熱要件を緩和できます。5kVRMS に耐える絶縁と、最小 8mm の沿面距離および空間距離により、高いレベルの信頼性の高い寿命の強化動作電圧を実現します。

内蔵シールドにより、優れた同相信号除去、、および過渡耐性を実現しています。固定感度とすることで、デバイスは 3V~5.5V の単一電源で動作でき、レシオメトリック誤差をなくし、電源ノイズ除去を向上させています。

TMCS1133-Q1 は、業界をリードする絶縁性と精度を備えたガルバニック絶縁ホール効果電流センサです。入力電流に比例する出力電圧により、優れた直線性と、あらゆる感度オプションで低ドリフトを実現しています。ドリフト補償を内蔵した高精度のシグナル コンディショニング回路は、の 1.4% と寿命全体にわたって、システム レベルのキャリブレーションを必要としない 1.4% 未満の最大感度誤差を達成しており、寿命と温度ドリフトの両方を含む 1 回限りの室温キャリブレーションで、0.9% 未満の最大感度誤差を達成しています。

AC または DC 入力電流は内部導体を流れ、そこで発生する磁界を、内蔵のオンチップ ホール効果センサで測定します。コアレス構造のため、磁気コンセントレータは不要です。差動ホール センサは、外部の浮遊磁界による干渉を排除します。導体抵抗が小さいと、測定可能な電流範囲が最大 ±96A まで拡大すると同時に、電力損失を最小化し、放熱要件を緩和できます。5kVRMS に耐える絶縁と、最小 8mm の沿面距離および空間距離により、高いレベルの信頼性の高い寿命の強化動作電圧を実現します。

内蔵シールドにより、優れた同相信号除去、、および過渡耐性を実現しています。固定感度とすることで、デバイスは 3V~5.5V の単一電源で動作でき、レシオメトリック誤差をなくし、電源ノイズ除去を向上させています。

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技術資料

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* データシート TMCS1133-Q1 AEC-Q100、高精度 1MHz ホール エフェクト電流センサ 強化 動作 電圧、過電流検出、および周囲磁界除去機能搭載 PDF | HTML PDF | HTML 2026/06/09
アプリケーション・ノート ホール エフェクト電流センサのフューズド リード フレーム タイプとノ ンフューズド リード フレーム タイプの比較 PDF | HTML PDF | HTML 2026/04/01
機能安全情報 TMCS1123-Q1, TMCS1126-Q1, TMCS1127-Q1, and TMCS1133-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA (Rev. A) PDF | HTML 2025/05/05
アプリケーション・ノート 高電磁干渉アプリケーションでの TMCS11xx の使用 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025/04/24
アプリケーション・ノート Thermal Analysis of the TMCS1123 Hall-Effect Current Sensor PDF | HTML 2025/01/21
証明書 TMCS1133AEVM EU Declaration of Conformity (DoC) PDF | HTML 2023/08/21
証明書 TMCS1133CEVM EU Declaration of Conformity (DoC) PDF | HTML 2023/08/21
証明書 TMCS1133BEVM EU Declaration of Conformity (DoC) PDF | HTML 2023/08/21

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

TMCS-A-ADAPTER-EVM — DVG、DVF、DZP の各パッケージ向け、TMCS 絶縁型ホール エフェクト電流センサ アダプタ カード (IC は付属していません)

TMCS-A-ADAPTER-EVM は、DVG、DVF、DZP の各パッケージを使用する TMCS 絶縁型ホール効果高精度電流センス モニタを、迅速かつ利便性の高い方法で使用できるようにすることを意図した評価基板 (EVM) です。この評価基板 (EVM) を使用すると、ホール入力側に最大 90A の電流を流すと同時に、強化型絶縁バリアを通過する絶縁型出力を測定することができます。TMCS-A-ADAPTER-EVM は、1 枚の PCB で構成されています。この PCB には、テスト ポイントとブレークアウト ヘッダ ピンを実装するための場所がありますが、部品は未実装です。PCB (...)

ユーザー ガイド: PDF | HTML
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限:
??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
入手不可
評価ボード

TMCS1133EVM — TMCS1133 評価基板

TMCS1133EVM 評価基板 (EVM) は、内部リファレンスを活用する絶縁型ホール効果高精度電流センス モニタである TMCS1133 を、迅速で利便性の高い方法で使用できるようにすることを意図したツールです。この評価基板 (EVM) を使用すると、ホール入力側に最大動作電流を流すと同時に、強化型絶縁バリアを通過する絶縁型出力を測定することができます。治具のレイアウトは、ターゲット回路のモデルとして使用することや電磁干渉 (EMI) テストに使用することを意図していません。この EVM は 1 枚のプリント基板 (PCB) で構成されており、5 (...)

ユーザー ガイド: PDF | HTML
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133B7A)

SBOMCR4.ZIP (7 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133B8A)

SBOMCR5.ZIP (8 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133C9A)

SBOMCR6.ZIP (8 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133x2A)

SBOMCR0.ZIP (8 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133x3A)

SBOMCR1.ZIP (8 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133x4A)

SBOMCR2.ZIP (8 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133x5A)

SBOMCR3.ZIP (8 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (TMCS1133x1A)

SBOMCQ9.ZIP (8 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
シミュレーション・モデル

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 TINA-TI Reference Design

SBOMCR7.ZIP (127 KB) - TINA-TI リファレンス・デザイン
サポート対象の製品とハードウェア
計算ツール

CS-MAGNETIC-ERROR-TOOL-CALC — Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool

Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool
サポート対象の製品とハードウェア
リファレンス・デザイン

PMP41078 — GaN HEMT を搭載した高電圧から低電圧への DC/DC コンバータのリファレンス デザイン

650V のGaN (窒化ガリウム) HEMT (高電子移動度トランジスタ) を搭載した、3.5kW の高電圧から低電圧への DC/DC コンバータのリファレンス デザインです。LMG3522R030 を 1 次スイッチとして使用すると、コンバータは高スイッチング周波数で動作します。このデザインでは、コンバータは小型化されたトランスを使用しています。アクティブ クランプ MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) の放熱性能を緩和するため、このコンバータは 2 チャネルのアクティブ クランプ回路を使用しています。

サポート対象の製品とハードウェア
リファレンス・デザイン

PMP41139 — 3.5kW、800V/14V DC/DC コンバータのリファレンス デザイン

650V のGaN (窒化ガリウム) HEMT (高電子移動度トランジスタ) を搭載した、3.5kW、 800V~14V の DC/DC コンバータのリファレンス デザインです。スタック型ハーフブリッジ(SHB)トポロジを使用すると、コンバータは650VのGaN HEMTを使用して800Vで動作します。LMG3522R030 を 1 次スイッチとして使用すると、コンバータは高スイッチング周波数で動作します。このデザインでは、コンバータはより小型化されたトランスを使用しています。アクティブ クランプ 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET) (...)
サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DVG) 10 Ultra Librarian

購入と品質

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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