JAJA717 October   2021 DRV5032 , TMAG5170 , TMAG5231 , TMAG5273

 

  1.   概要
  2.   商標
  3. 1概要
  4. 2リード・スイッチの概要
  5. 3ホール効果センサの概要
  6. 4性能比較
  7. 5DRV5032 のテストの構成と結果
    1. 5.1 DRV5032 のテストの構成
    2. 5.2 結果についての説明
    3. 5.3 DRV5032 のテスト結果
    4. 5.4 前面手法の結果
    5. 5.5 側面手法
    6. 5.6 改ざんの受けやすさのテストの構成
    7. 5.7 改ざんの受けやすさのテスト結果
  8. 6リード・スイッチのテスト構成と結果
    1. 6.1 リード・スイッチのテストの構成
    2. 6.2 リード・スイッチのテスト結果
    3. 6.3 前面手法の結果
    4. 6.4 側面手法の結果
    5. 6.5 改ざんの受けやすさのテストの構成
    6. 6.6 リード・スイッチの改ざんの受けやすさテストの結果
  9. 7TMAG5170 のテストの構成と結果
    1. 7.1 TMAG5170 のテストの構成
    2. 7.2 TMAG5170 のテスト結果
    3. 7.3 TMAG5170 の改ざんの受けやすさのテストの構成
    4. 7.4 TMAG5170 の改ざんの受けやすさのテストの成果
  10. 8まとめ

TMAG5170 の改ざんの受けやすさのテストの成果

直交方向と並列方向の両方で改ざんを行いました。デバイスの検出フィールド内に不正な磁石を持ち込んだときの TMAG5170 GUI からの出力を、図 7-7 に示します。磁界の強度は、不正な磁石を近づけるまで X 軸で約 1.75mT です。2 つ目の磁石を近づけると、X 軸と Y 軸の両方で磁界強度が増加し、改ざんの試みが行われたことを示します。

GUID-20210810-SS0I-QNPL-1WSZ-N4QLC4NXD0MG-low.png図 7-7 TMAG5170 の直交方向の改ざんテストのセットアップ
GUID-20210810-SS0I-W7XL-2SRV-QRWSDNM6Q0QM-low.png図 7-8 TMAG5170 直交軸磁気の検出:結果

次は、本物の磁石と並列に改ざんのテストを行います。改ざん用の磁石を検出範囲内に持ち込んだとき TMAG5170 から得られる応答を、図 7-9 に示します。改ざん用の磁石が近づく前、X 軸の磁界強度は約 1.1mT です。改ざん用の磁石を近づけると、改ざんの試みが行われた証拠が Z 軸に現れ、新たな磁界が存在することから X 軸の磁界強度も増加します。

GUID-20210810-SS0I-7WW4-RJRC-5D7DZW9QG2HM-low.png図 7-9 TMAG5170 の並列方向の改ざんテスト:構成
GUID-20210810-SS0I-3N4T-GRVM-Q4DZPZRKZHVB-low.png図 7-10 TMAG5170 の並列方向の改ざんテスト:結果