2 ディスクリート VINDPM の自動リセット回路

VSYS が V_{SYS_SHORT} を下回ると、チャージャの REGN ピンの電圧 VREGN が低下します。図 2-1 に示すように、2 つの 1MΩ 抵抗、プルダウン抵抗 R_PD、p-チャネル MOSFET (PFET)、n-チャネル MOSFET (NFET)、および 0.33 ～ 1μF コンデンサを構成して、自動リセット回路を形成します。VREGN の降下によって、VACx とパネルの接続を一時的に切断すると V_INDPM スレッショルドがリセットされます。これにより、チャージャの VACx ピンの電圧が低下します。

図 2-2 は、上記の回路でバッテリを接続せずに SYS と GND の間に 4Ω の抵抗を接続して動作する BQ25798 を示したものです。シミュレーションされたパネル出力電圧が V_INDPM スレッショルドを下回っていても UVLO を上回っている場合、チャージャのコンバータはスイッチングを停止し、VSYS と VREGN (水 色のCH2) は低下します。通常オンになっている NFET は、REGN に結合されたコンデンサによって、一瞬オフになります。これにより、ソーラーパネル電圧までプルアップされた PFET がオフからオンに切り替わるため、VAC1 ピンの電圧が UVLO を下回り、その後に新しい VOC 電圧まで上昇します。この高速 VAC1 トグルによって、VSYS のグランドへの降下によってチャージャが HiZ モードに移行する前に V_INDPM スレッショルドがリセットされます。

表 2-1 に、FET、カップリング コンデンサ、プルダウン抵抗の仕様を示します。チャージャの V_INDPM(MIN) = 3.6V で、動作の最小パネル MPP 電圧を設定します。