5 まとめ

前のセクションで説明したように、TL トポロジと比較すると、SHB トポロジは電力密度が高くなります。スタック型ハーフ ブリッジ トポロジを採用すると、800V バッテリ アプリケーションで 650V GaN HEMT LMG3522R030-Q1 を使用する場合でも、1 次側でスイッチとして使用する場合でも、同期整流器として 2 次側で使用する場合でも、そのギャップを完全に克服できます。C2000 デバイスのタイプ 5 ePWM モジュールは、SHB トポロジの特別な PWM 要件を満たすことができます。また、このテスト結果から、SHB は 400V シナリオで PMP41078 のオリジナルトポロジと同様の 800V シナリオで高効率の負荷過渡性能を達成していることが示されています。この場合、絶縁型から非絶縁型のアプリケーションまで、SHB を大きくする結果が得られます。