JAJSFB7F April 2018 – October 2024 INA181-Q1 , INA2181-Q1 , INA4181-Q1
PRODUCTION DATA
| パラメータ | 条件 | 最小値 | 代表値 | 最大値 | 単位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 入力 | |||||||
| 同相信号除去比 | 同相除去比、RTI(1) | VIN+ = 0V~26V、VSENSE = 0mV、TA = -40℃~+125℃ |
84 | 100 | dB | ||
| VOS | オフセット電圧、RTI | VSENSE = 0mV、VIN+ = 0V | ±25 | ±150 | µV | ||
| VSENSE = 0mV | ±100 | ±500 | µV | ||||
| dVOS/dT | オフセット ドリフト、RTI | VSENSE = 0mV、TA = -40℃~+125℃ | 0.2 | 1 | μV/℃ | ||
| PSRR | RTI 対電源比 | VS = 2.7V~5.5V、VIN+ = 12V、 VSENSE = 0mV |
±8 | ±40 | μV/V | ||
| IIB | 入力バイアス電流 | VSENSE = 0mV、VIN+ = 0V | -6 | μA | |||
| VSENSE = 0mV | 75 | μA | |||||
| IIO | 入力オフセット電流 | VSENSE = 0mV | ±0.05 | μA | |||
| 出力 | |||||||
| G | ゲイン | A1 デバイス | 20 | V/V | |||
| A2 デバイス | 50 | V/V | |||||
| A3 デバイス | 100 | V/V | |||||
| A4 デバイス | 200 | V/V | |||||
| EG | ゲイン エラー | VOUT = 0.5V~VS - 0.5V、 TA = -40℃~+125℃ |
±0.1% | ±1% | |||
| ゲイン誤差と温度との関係 | TA = –40℃~+125℃ | 1.5 | 20 | ppm/℃ | |||
| 非直線性誤差 | VOUT = 0.5V~VS - 0.5V | ±0.01% | |||||
| 最大容量性負荷 | 発振が持続しないこと | 1 | nF | ||||
| 電圧出力 (2) | |||||||
| VSP | VS 電源レールまでスイング (3) | RL = 10kΩ (対 GND)、TA= -40℃~+125℃ | (VS) – 0.02 | (VS) – 0.03 | V | ||
| VSN | GND までスイング (3) | RL = 10kΩ (対 GND)、TA = -40℃~+125℃ | (VGND) + 0.0005 | (VGND) + 0.005 | V | ||
| 周波数応答 | |||||||
| BW | 帯域幅 | A1 デバイス、CLOAD = 10pF | 350 | kHz | |||
| A2 デバイス、CLOAD = 10pF | 210 | kHz | |||||
| A3 デバイス、CLOAD = 10pF | 150 | kHz | |||||
| A4 デバイス、CLOAD = 10pF | 105 | kHz | |||||
| SR | スルー レート | 2 | V/μs | ||||
| ノイズ、RTI (1) |
|||||||
| 電圧ノイズ密度 | 40 | nV/√Hz | |||||
| 電源 | |||||||
| IQ | 静止時電流 | INA181 | VSENSE = 0mV | 195 | 260 | μA | |
| VSENSE = 0mV、TA = -40℃~+125℃ | 300 | ||||||
| INA2181 | VSENSE = 0mV | 356 | 500 | μA | |||
| VSENSE = 0mV、TA = -40℃~+125℃ | 520 | ||||||
| INA4181 | VSENSE = 0mV | 690 | 900 | μA | |||
| VSENSE = 0mV、TA = -40℃~+125℃ | 1000 | ||||||