JAJSJB6C December   2015  – September 2024 TPS7H3301-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Revision History
  6. 5 Pin Configuration and Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 VTT/VO Sink and Source Regulator
      2. 7.3.2 Reference Input (VDDQSNS)
      3. 7.3.3 Reference Output (VTTREF)
      4. 7.3.4 EN Control (EN)
      5. 7.3.5 Power-Good Function (PGOOD)
      6. 7.3.6 VTT Current Protection
      7. 7.3.7 VIN UVLO Protection
      8. 7.3.8 Thermal Shutdown
    4. 7.4 Device Functional Modes
  9. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 VDD/VIN Capacitor
        2. 8.2.2.2 VLDO Input Capacitor
        3. 8.2.2.3 VTT Output Capacitor
        4. 8.2.2.4 VTTSNS Connection
        5. 8.2.2.5 Low VIN Applications
        6. 8.2.2.6 S3 and Pseudo-S5 Support
        7. 8.2.2.7 Tracking Startup and Shutdown
        8. 8.2.2.8 Output Tolerance Consideration for VTT DIMM or Module Applications
        9. 8.2.2.9 LDO Design Guidelines
      3. 8.2.3 Application Curve
  10.   Power Supply Recommendations
  11. 9 Layout
    1. 9.1 Layout Guidelines
    2. 9.2 Layout Example
    3. 9.3 Thermal Considerations
  12. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 Device Support
      1. 10.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 10.2 Documentation Support
      1. 10.2.1 Related Documentation
    3. 10.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 10.4 サポート・リソース
    5. 10.5 Trademarks
    6. 10.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 10.7 用語集
  13.   Mechanical, Packaging, and Orderable Information

1 特長

  • 5962R14228(1)：
    • 総吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA) 認定
    • シングル イベント ラッチアップ (SEL)、シングル イベント ゲート ラプチャー (SEGR)、シングル イベント バーンアウト (SEB) の耐性：LET = 70MeV-cm2/mg(2) まで
    • シングル イベント過渡 (SET)、シングル イベント機能割り込み (SEFI)、シングル イベント アップセット (SEU) の耐性：70MeV-cm2/mg(2) まで
  • DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4 終端アプリケーションをサポート
  • 入力電圧：2.5V レールと 3.3V レールをサポート(3)
  • 0.9V まで引き下げられた独立した低電圧入力 (VLDOIN)
    により電力効率が向上(3)
  • 3A シンク / ソース終端レギュレータにドループ補償を搭載
  • イネーブル入力とパワー グッド出力による電源シーケンス
  • VTT ターミネーション レギュレータ
    • 出力電圧範囲：0.5～1.75 V
    • 3A のシンクおよびソース電流
  • センス入力を備えた高精度分圧回路を内蔵
  • リモート センシング (VTTSNS)
  • VTTREF バッファ付きリファレンス

    • VDDQSNS に対する 49%～51% の精度 (±3mA)

    • ±10mA のシンクおよびソース電流
  • 低電圧誤動作防止 (UVLO)、過電流制限 (OCL) 機能を内蔵