JAJSJB6C December   2015  – September 2024 TPS7H3301-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Revision History
  6. 5 Pin Configuration and Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 VTT/VO Sink and Source Regulator
      2. 7.3.2 Reference Input (VDDQSNS)
      3. 7.3.3 Reference Output (VTTREF)
      4. 7.3.4 EN Control (EN)
      5. 7.3.5 Power-Good Function (PGOOD)
      6. 7.3.6 VTT Current Protection
      7. 7.3.7 VIN UVLO Protection
      8. 7.3.8 Thermal Shutdown
    4. 7.4 Device Functional Modes
  9. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 VDD/VIN Capacitor
        2. 8.2.2.2 VLDO Input Capacitor
        3. 8.2.2.3 VTT Output Capacitor
        4. 8.2.2.4 VTTSNS Connection
        5. 8.2.2.5 Low VIN Applications
        6. 8.2.2.6 S3 and Pseudo-S5 Support
        7. 8.2.2.7 Tracking Startup and Shutdown
        8. 8.2.2.8 Output Tolerance Consideration for VTT DIMM or Module Applications
        9. 8.2.2.9 LDO Design Guidelines
      3. 8.2.3 Application Curve
  10.   Power Supply Recommendations
  11. 9 Layout
    1. 9.1 Layout Guidelines
    2. 9.2 Layout Example
    3. 9.3 Thermal Considerations
  12. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 Device Support
      1. 10.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 10.2 Documentation Support
      1. 10.2.1 Related Documentation
    3. 10.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 10.4 サポート・リソース
    5. 10.5 Trademarks
    6. 10.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 10.7 用語集
  13.   Mechanical, Packaging, and Orderable Information

3 概要

TPS7H3301-SP は、TID および SEE 耐放射線性のダブル データ レート (DDR) 3A ターミネーション レギュレータで、VTTREF バッファが内蔵されています。このレギュレータは、シングル ボード コンピュータ、ソリッド ステート レコーダ、ペイロード処理などの宇宙向け DDR 終端アプリケーション用に、包括的でコンパクトな低ノイズ ソリューションを提供するように特化して設計されています。

TPS7H3301-SP は DDR、DDR2、DDR3、DDR4 を使用する DDR VTT 終端アプリケーションをサポートしています。TPS7H3301-SP VTT レギュレータの高速過度応答により、読み取り / 書き込み状況で非常に安定した電源を実現できます。遷移中、VTTREF 電源の高速トラッキング機能により、VTT/Vo と VTTREF の間の電圧オフセットが最小化されます。シンプルな電源シーケンスを実現するために、TPS7H3301-SP にはイネーブル入力とパワー グッド出力 (PGOOD) の両方が内蔵されています。PGOOD 出力はオープン ドレインであるため、複数のオープン ドレイン出力に接続して、すべての電源がレギュレーションに入ったことを監視できます。イネーブル信号を使用して、RAM (S3) パワーダウン モードへのサスペンド中に VTT/Vo を放電することもできます。

製品情報(1)
部品番号 (3) グレード パッケージ
5962R1422801VXC(2) フライト グレード RHA 100krad(Si) 16 ピン CFP
9.6mm × 11.00mm
重量：1.55g(5)
5962-1422801VXC(2) フライト グレード QMLV
TPS7H3301HKR/EM エンジニアリング モジュール(4)
TPS7H3301EVM-CVAL セラミック評価ボード EVM
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
(2) 詳細については、『放射線レポート』を参照してください。
(3) DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4 に適用されます。DDRの場合、入力電圧 = 3.3V (公称)。DDR1 では VIN は 2.95～3.5V、すべての DDR で VLDOIN > VTT/VOです。
DDR2 3A 負荷条件の場合、VINは 2.45～3.5V です。
VINヘッドルーム：VIN_MIN ≥ VTT/VO + 1.5V。
(4) これらのユニットは、技術的な評価のみを目的としています。標準とは異なるフロー (バーンインがないなど) に従って処理されており、25℃の温度定格のみがテストされれています。これらのユニットは、認定、量産、放射線テスト、航空での使用には適していません。部品は、MIL に規定されている温度範囲全体 (-55℃～125℃) にわたる性能も動作寿命全体にわたる性能も保証されていません。
(5) 重量の精度は ±10% です。

TPS7H3301-SP 標準のDDRアプリケーション
標準のDDRアプリケーション