JAJSJS5C March   2021  – June 2025 TPS628501 , TPS628502 , TPS628503

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
    1. 7.1 回路図
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 高精度イネーブル (EN)
      2. 8.3.2 COMP/FSET
      3. 8.3.3 MODE/SYNC
      4. 8.3.4 スペクトラム拡散クロック供給 (SSC)
      5. 8.3.5 低電圧誤動作防止 (UVLO)
      6. 8.3.6 パワー グッド出力 (PG)
      7. 8.3.7 サーマル シャットダウン
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 パルス幅変調 (PWM) 動作
      2. 8.4.2 パワーセーブ モード動作 (PWM/PFM)
      3. 8.4.3 100% デューティ サイクルでの動作
      4. 8.4.4 電流制限と短絡保護
      5. 8.4.5 フォールドバック電流制限と短絡保護
      6. 8.4.6 出力放電
      7. 8.4.7 ソフトスタート
      8. 8.4.8 入力過電圧保護
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 出力電圧の設定
      2. 9.1.2 インダクタの選択
      3. 9.1.3 コンデンサの選択
        1. 9.1.3.1 入力コンデンサ
        2. 9.1.3.2 出力コンデンサ
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 システム例
      1. 9.3.1 外部クロックへの同期
    4. 9.4 電源に関する推奨事項
    5. 9.5 レイアウト
      1. 9.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.5.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイス サポート
      1. 10.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

6.5 電気的特性

動作接合部温度範囲 (TJ = –40°C ～ +150°C) および VIN = 2.7V ～ 6V。VIN = 5V、TJ = 25°C での標準値。(特に記載がない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
電源
IQ 静止時電流 EN = VIN、無負荷、デバイスがスイッチングしない、MODE = GND、VOUT = 0.6V 17 36 μA
ISD シャットダウン電流 TJ = 25°C での EN = GND、公称値、TJ = 150°C での最大値 1.5 48 μA
ISD シャットダウン電流 EN = GND、TJ = - 40°C ～ 85°C、HSFET リークを含む 5.5 μA
VUVLO 低電圧誤動作防止スレッショルド VIN 立ち上がり 2.45 2.6 2.7 V
VIN 立ち下がり 2.1 2.5 2.6 V
TJSD サーマル シャットダウンのスレッショルド TJ 立ち上がり 170 ℃
サーマル シャットダウン ヒステリシス TJ 立ち下がり 15 ℃
制御とインターフェイス
VEN,IH EN の立ち上がりエッジにおける入力スレッショルド電圧 1.05 1.1 1.15 V
VEN,IL EN の入力スレッショルド電圧、立ち下がりエッジ 0.96 1.0 1.05 V
VIH MODE/SYNC の High レベル入力 — スレッショルド電圧 1.1 V
IEN、LKG EN への入力リーク電流 VIH = VIN または VIL = GND 125 nA
VIL MODE/SYNC の Low レベル入力スレッショルド電圧 0.3 V
ILKG MODE/SYNC への入力リーク電流 100 nA
tDelay イネーブル遅延時間 EN が high になってからデバイスのスイッチングが始まるまでの時間。VIN はすでに印加されている。 135 200 520 μs
tDelay イネーブル遅延時間 EN が High になってからデバイスのスイッチングが始まるまでの時間。VIN はすでに印加されている、
VIN ≥ 3.3V		 480 μs
tRamp 出力電圧ランプタイム デバイスがスイッチングを開始してからパワー グッドまでの時間、デバイスが電流制限外にある 0.8 1.3 1.8 ms
fSYNC 同期用の MODE/SYNC ピンの周波数範囲 1.8 4 MHz
MODE/SYNC における同期信号のデューティサイクル 20 80 %
外部周波数にロックする時間 50 μs
COMP/FSET から GND への抵抗 (ロジック low) f = 2.25MHz
の内部周波数設定		 0 2.5 kΩ
ロジック high の COMP/FSET の電圧 f = 2.25MHz
の内部周波数設定		 VIN V
VTH_PG UVP パワーグッド スレッショルド電圧、
DC レベル		 立ち上がり (%VFB) 92 95 98 %
VTH_PG UVP パワーグッド スレッショルド電圧、
DC レベル		 立ち下がり (%VFB) 87 90 93 %
VTH_PG OVP パワーグッド スレッショルド電圧、
DC レベル		 立ち上がり (%VFB) 107 110 113 %
OVP パワーグッド スレッショルド電圧、
DC レベル		 立ち下がり (%VFB) 104 107 111 %
VPG、OL PG での Low レベル出力電圧 ISINK_PG = 2mA 0.07 0.3 V
IPG、LKG PG への入力リーク電流 VPG = 5V 100 nA
tPG PG グリッチ除去時間 パワーグッド出力の high レベルから low レベルへの遷移 40 μs
出力
VFB 帰還電圧、調整可能バージョン 0.6 V
IFB、LKG FB への入力リーク電流、調整可能バージョン VFB = 0.6 V 1 70 nA
VFB 帰還電圧精度 PWM、VIN ≥ VOUT + 1V -1 1 %
VFB 帰還電圧精度 PFM、VIN ≥ VOUT + 1V、VOUT ≥ 1.0V、Co,eff ≥ 10µF、L = 0.47µH -1 2 %
VFB 帰還電圧精度 PFM、VIN ≥ VOUT + 1V、VOUT < 1.0V、Co,eff ≥ 15µF、L = 0.47µH
 		 -1 3 %
ロード レギュレーション PWM 0.05 %/A
ライン レギュレーション PWM、IOUT = 1A、VIN ≥ VOUT + 1V 0.02 %/V
RDIS 出力放電抵抗 100 Ω
fSW PWM スイッチング周波数範囲 MODE = high、スイッチング周波数の設定については、FSET ピンの機能を参照してください 1.8 2.25 4 MHz
fSW PWM スイッチング周波数範囲 MODE = low、スイッチング周波数の設定については、FSET ピンの機能を参照してください 1.8 3.5 MHz
fSW PWM スイッチング周波数 COMP/FSET を GND または VIN に接続した場合 2.025 2.25 2.475 MHz
fSW PWM スイッチング周波数許容値 COMP/FSET と GND の間に抵抗を使用します -12 12 %
ton,min ハイサイド FET の最小オン時間 VIN = 3.3V、TJ = –40°C ～ 125°C 35 50 ns
ton,min ローサイド FET の最小オン時間 10 ns
RDS(ON) ハイサイド FET オン抵抗 VIN ≥ 5V
 		 65 120 mΩ
ローサイド FET オン抵抗 VIN ≧ 5V 33 70 mΩ
ハイサイド MOSFET リーク電流 TJ = –40℃ ～ 85℃ 3.5 µA
ハイサイド MOSFET リーク電流 0.01 44 µA
ローサイド MOSFET リーク電流 TJ = –40℃ ～ 85℃ 5 µA
ローサイド MOSFET リーク電流 0.01 70 µA
SW リーケージ V(SW) = 0.6V、SW ピンへの電流 -0.05 11 µA
ILIMH ハイサイド FET スイッチ電流制限値 TPS628503 の場合の DC 値、
VIN = 3V ～ 6V		 3.45 4.5 5.1 A
ILIMH ハイサイド FET スイッチ電流制限値 TPS628502 の場合の DC 値、
VIN = 3V ～ 6V		 2.85 3.4 3.9 A
ILIMH ハイサイド FET スイッチ電流制限値 TPS628501 の場合の DC 値、
VIN = 3V ～ 6V		 2.1 2.6 3.0 A
ILIMNEG ローサイド FET 負電流制限値 DC 値 -1.8 A