JAJSNA7D November   2021  – February 2026 BQ27Z746

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
      1. 5.5.1 電源電流
      2. 5.5.2 共通アナログ (LDO、LFO、HFO、REF1、REF2、I-WAKE)
      3. 5.5.3 バッテリ保護 (CHG、DSG)
      4. 5.5.4 セル センシング出力 (BAT_SP、BAT_SN)
      5. 5.5.5 残量計の測定 (ADC、CC、温度)
      6. 5.5.6 フラッシュ メモリ
    6. 5.6 デジタル I/O：DC の特性
    7. 5.7 デジタル I/O：タイミング特性
    8. 5.8 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1  BQ27Z746 プロセッサ
      2. 6.3.2  バッテリ パラメータの測定値
        1. 6.3.2.1 クーロン カウンタ (CC) とデジタル フィルタ
        2. 6.3.2.2 ADC マルチプレクサ
        3. 6.3.2.3 A/D コンバータ (ADC)
        4. 6.3.2.4 内部温度センサ
        5. 6.3.2.5 外部温度センサのサポート
      3. 6.3.3  電源制御
      4. 6.3.4  ENAB Pin
      5. 6.3.5  バス通信インターフェイス
      6. 6.3.6  低周波発振器
      7. 6.3.7  高周波発振器
      8. 6.3.8  1.8V 低ドロップアウト レギュレータ
      9. 6.3.9  内部基準電圧
      10. 6.3.10 放電時の過電流保護
      11. 6.3.11 充電時の過電流保護
      12. 6.3.12 放電時の短絡電流保護
      13. 6.3.13 1 次保護機能
      14. 6.3.14 バッテリ検出
      15. 6.3.15 バッテリ残量計
      16. 6.3.16 ゼロ ボルト充電 (ZVCHG)
      17. 6.3.17 充電制御機能
      18. 6.3.18 認証
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 寿命に関する記録機能
      2. 6.4.2 構成
        1. 6.4.2.1 クーロン カウント
        2. 6.4.2.2 セルの電圧測定
        3. 6.4.2.3 自動キャリブレーション
        4. 6.4.2.4 温度測定
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件 (デフォルト)
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1 設計パラメータの変更
      3. 7.2.3 キャリブレーション手順
      4. 7.2.4 残量計データの更新
        1. 7.2.4.1 アプリケーション曲線
          1. 7.2.4.1.1 ESD 軽減
  9. 8 電源に関する推奨事項
  10. 9 レイアウト
    1. 9.1 レイアウトのガイドライン
    2. 9.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 10.2 ドキュメントのサポート
      1. 10.2.1 関連資料
    3. 10.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 10.4 サポート・リソース
    5. 10.5 商標
    6. 10.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 10.7 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

5.5.6 フラッシュ メモリ

特記のない限り、TA = –40 〜 85℃ の条件下での特性を記載しています
パラメータテスト条件最小値標準値最大値単位
データ保持期間10100年
フラッシュ プログラミングの書き込みサイクルデータ フラッシュ20000サイクル
命令フラッシュ1000サイクル
t(ROWPROG)行のプログラミング時間40μs
t(MASSERASE)一括消去時間TA = -40℃～85℃40ms
t(PAGEERASE)ページ消去時間TA = -40℃～85℃40ms
IFLASHREADフラッシュ読み取り電流TA = -40℃～85℃1mA
IFLASHWRTIEフラッシュ書き込み電流TA = -40℃～85℃5mA
IFLASHERASEフラッシュ消去電流TA = -40℃～85℃15mA