JAJSVI9A October   2024  – July 2025 AMC0330S-Q1

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件 -
    4. 6.4  熱に関する情報 (D パッケージ)
    5. 6.5  熱に関する情報 (DWV パッケージ)
    6. 6.6  電力定格
    7. 6.7  絶縁仕様 (基本絶縁)
    8. 6.8  絶縁仕様 (強化絶縁)
    9. 6.9  安全関連認証 (基本絶縁)
    10. 6.10 安全関連認証 (強化絶縁)
    11. 6.11 安全限界値 (D パッケージ)
    12. 6.12 安全限界値 (DWV パッケージ)
    13. 6.13 電気的特性
    14. 6.14 スイッチング特性 (SE 出力)
    15. 6.15 タイミング図
    16. 6.16 絶縁特性曲線
    17. 6.17 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 アナログ入力
      2. 7.3.2 絶縁チャネルの信号伝送
      3. 7.3.3 アナログ出力
      4. 7.3.4 リファレンス入力
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 入力フィルタの設計
        2. 8.2.2.2 REFIN ピンに接続します
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 設計のベスト プラクティス
    4. 8.4 電源に関する推奨事項
    5. 8.5 レイアウト
      1. 8.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.5.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

6.13 電気的特性

最小および最大仕様は、TA = –40°C ～ +125°C、VDD1 = 3.0V ～ 5.5V、VDD2 = 3.0V ～ 5.5V、VREFIN = 1.65V、SNSN = GND1、VINP = -1V ～ 1V（特に明記されていない限り）に適用されます。標準仕様は TA = 25°C、VDD1 = 5V、VDD2 = 3.3V です。
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
アナログ入力
CIN 入力容量 2 pF
RINP 入力インピーダンス INP ピン、TA = 25°C 0.05 2.4 GΩ
IIB 入力バイアス電流 INP = GND1、TA = 25°C -10 ±3 10 nA
CMTI 同相過渡耐性 150 V/ns
アナログ出力
公称ゲイン 1 V/V
ROUT 出力抵抗 OUTP または OUTN <0.2 Ω
出力短絡検出電流 ソースまたはシンク、
INP = GND1、出力は GND または VDD2 に短絡しています
 11 mA
DC 精度
VOS 入力オフセット電圧(1)(2) INP = GND1、VDD2 = 3.3V、VREFIN = 1.65V、TA = 25°C -1.2 ±0.1 1.2 mV
TCVOS 入力オフセットの熱ドリフト(1)(2)(4) -20 ±2 20 μV/℃
EG ゲイン(1) TA = 25℃ -0.25% ±0.04% 0.25%
TCEG ゲイン誤差ドリフト(1)(5) -45 ±5 45 ppm/℃
非線形性(1) -0.025% ±0.01% 0.025%
出力ノイズ電圧 INP = GND1、BW = 50kHz 200 μVrms
PSRR 電源除去比(2) VDD1 の DC PSRR、INP = GND1、
VDD1 を 3V ～ 5.5V で動作させます		 -80 dB
VDD1 AC PSRR、INP = GND1、
VDD1、10kHz/100mV リップル		 -65
VDD2 の DC PSRR、INP = GND1、
VDD2 を 3V ～ 5.5V で動作させます		 -85
VDD2 AC PSRR、INP = GND1、
VDD2、10kHz/100mV リップル		 -70
AC 精度
BW 出力帯域幅 120 145 kHz
THD 全高調波歪(3) VINP = 2VPP、VINP > 0V、
fIN = 10kHz		 -90 -80 dB
SNR 信号対雑音比 VINP = 2.25VPP、fINP = 1kHz、BW = 10kHz 76 80 dB
VINP = 2.25VPP、fINP = 10kHz、BW = 50kHz 73
電源
IDD1 ハイサイド電源電流 4.3 5.6 mA
IDD2 ローサイド電源電流 4.8 7.4 mA
VDD1UV ハイサイド低電圧検出スレッショルド VDD1 の立ち上がり 2.4 2.6 2.8 V
VDD1 の立ち下がり  1.9 2.05 2.2
VDD2UV ローサイドの低電圧検出スレッショルド VDD2 の立ち上がり 2.3 2.5 2.7 V
VDD2 の立ち下がり 1.9 2.05 2.2
(1) 標準値には、公称動作条件での 1 つの標準偏差 (シグマ) が含まれます。
(2) このパラメータは入力換算です。
(3) THD は、最初の 5 つのより高い高調波の振幅の rms 合計と、基本波の振幅との比です。
(4) オフセット誤差の温度ドリフトは、次の式で表すボックス法を使用して計算されます。
TCVOS = (ValueMAX - ValueMIN) / TempRange
(5) ゲインエラー温度ドリフトは、ボックス法を使用して次の式で計算されます：
TCEG (ppm) = (ValueMAX - ValueMIN) / (Value(T=25℃) x TempRange) x 106