JAJSVY6 December   2024 TPS4812-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Device Comparison
  6. 5 Pin Configuration and Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  8. 7 Parameter Measurement Information
  9. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Charge Pump and Gate Driver Output (VS, GATE, BST, SRC)
      2. 8.3.2 Capacitive Load Driving
        1. 8.3.2.1 Using Low-Power Bypass FET (G Drive) for Load Capacitor Charging
        2. 8.3.2.2 Using Main FET (GATE Drive) Gate Slew Rate Control
      3. 8.3.3 Overcurrent and Short-Circuit Protection
        1. 8.3.3.1 I2t-Based Overcurrent Protection
          1. 8.3.3.1.1 I2t-Based Overcurrent Protection With Auto-Retry
          2. 8.3.3.1.2 I2t-Based Overcurrent Protection With Latch-Off
        2. 8.3.3.2 Short-Circuit Protection
      4. 8.3.4 Analog Current Monitor Output (IMON)
      5. 8.3.5 NTC-Based Temperature Sensing (TMP) and Analog Monitor Output (ITMPO)
      6. 8.3.6 Fault Indication and Diagnosis (FLT)
      7. 8.3.7 Reverse Polarity Protection
      8. 8.3.8 Undervoltage Protection (UVLO)
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 State Diagram
      2. 8.4.2 State Transition Timing Diagram
      3. 8.4.3 Power Down
      4. 8.4.4 Shutdown Mode
      5. 8.4.5 Low Power Mode (LPM)
      6. 8.4.6 Active Mode (AM)
  10. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application 1: Driving Power at all times (PAAT) Loads With Automatic Load Wakeup
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curves
    3. 9.3 Typical Application 2: Driving Power at all times (PAAT) Loads With Automatic Load Wakeup and Output Bulk Capacitor Charging
      1. 9.3.1 Design Requirements
      2. 9.3.2 External Component Selection
      3. 9.3.3 Application Curves
    4. 9.4 Power Supply Recommendations
    5. 9.5 Layout
      1. 9.5.1 Layout Guidelines
      2. 9.5.2 Layout Example
  11. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 10.2 サポート・リソース
    3. 10.3 Trademarks
    4. 10.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 10.5 用語集
  12. 11Revision History
  13. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

3 概要

TPS4812-Q1 は、保護および診断機能を備えた 低 IQ のスマート ハイサイド ドライバのファミリです。このデバイスは、3.5V～95V の広い動作電圧範囲、100V の絶対最大電圧を備えており、12V、24V、48V の車載用システム設計に適しています。

この製品には 2 つのゲート ドライブが内蔵されており、0.5A のソースと 2A のシンク (GATE) と、100μA のソースと 0.39A のシンク (G) があります。LPMが Low のとき、低消費電力パスがオンに維持され、メイン FET がオフになり、IQ は 20µA (標準値) になります。DRN と CS2- の間に配置された RBYPASS 抵抗を使用して、自動負荷ウェークアップのスレッショルドを調整できます。EN/UVLO が Low のとき、IQ は 1μA (標準値) に減少します。

このデバイスは、高精度の双方向電流センシング (±2%) 出力 (IMON、I_DIR) を備えており、外付け RSNS 抵抗とFLT 通知を使用して、可変の I2t ベースの過電流および短絡保護を実現しています。自動リトライおよびラッチオフ フォルト動作は設定可能です。このデバイスは、外部 FET の過熱検出用に、NTC ベースの温度センシング (TMP) およびモニタリング監視出力 (ITMPO) も備えています。

TPS4812-Q1 は、23 ピン VQFN パッケージで供給されます。

パッケージ情報
部品番号パッケージ (1)パッケージ サイズ(2)
TPS48120-Q1、TPS48121-Q1RGE (VQFN、23)4.00mm × 4.00mm
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
(2) パッケージ サイズ (長さ × 幅) は公称値で、該当する場合はピンも含まれます。
TPS4812-Q1 負荷ウェークアップ付き PAAT 負荷を駆動する TPS48120-Q1 アプリケーション回路負荷ウェークアップ付き PAAT 負荷を駆動する TPS48120-Q1 アプリケーション回路
TPS4812-Q1 負荷ウェークアップおよびバルク コンデンサ充電付きで PAAT 負荷を駆動する TPS48120-Q1 アプリケーション回路負荷ウェークアップおよびバルク コンデンサ充電付きで PAAT 負荷を駆動する TPS48120-Q1 アプリケーション回路