JAJSXA2 September   2025 LM5125A-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 タイミング要件
    7. 5.7 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1  デバイス構成 (CFG0 ピン、 CFG1 ピン、CFG2 ピン)
      2. 6.3.2  デバイスおよび位相のイネーブル / ディスエーブル (UVLO/EN、EN2)
      3. 6.3.3  デュアル デバイス動作
      4. 6.3.4  スイッチング周波数および同期 (SYNCIN)
      5. 6.3.5  デュアル ランダム スペクトラム拡散機能 (DRSS)
      6. 6.3.6  動作モード (バイパス、DEM、FPWM)
      7. 6.3.7  VCC レギュレータ、BIAS (BIAS ピン、VCC ピン)
      8. 6.3.8  ソフトスタート (SS ピン)
      9. 6.3.9  VOUT のプログラミング (VOUT、ATRK、DTRK)
      10. 6.3.10 保護
        1. 6.3.10.1 VOUT 過電圧保護 (OVP)
        2. 6.3.10.2 サーマル シャットダウン (TSD)
      11. 6.3.11 パワー グッド･インジケータ (PGOOD ピン)
      12. 6.3.12 勾配補償 (CSP1、CSP2、CSN1、CSN2)
      13. 6.3.13 電流センス設定とスイッチ ピーク電流制限 (CSP1、CSP2、CSN1、CSN2)
      14. 6.3.14 入力電流制限および監視 (ILIM、IMON、DLY)
      15. 6.3.15 最大デューティ サイクルと最小の制御可能なオン時間の制限
      16. 6.3.16 信号のグリッチ除去の概要
      17. 6.3.17 MOSFET ドライバ、内蔵ブート ダイオード、ヒカップ モードの故障保護 (LOx、HOx、HBx ピン)
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 シャットダウン状態
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
      1. 7.1.1 帰還補償
      2. 7.1.2 非同期アプリケーション
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1  合計フェーズ番号の決定
        2. 7.2.2.2  デューティ サイクルの決定
        3. 7.2.2.3  タイミング抵抗 RT
        4. 7.2.2.4  インダクタの選択 LM
        5. 7.2.2.5  電流センス抵抗 Rcs
        6. 7.2.2.6  電流センス フィルタRCSFP、RCSFN、CCS
        7. 7.2.2.7  ローサイド パワー スイッチ QL
        8. 7.2.2.8  ハイサイド パワー スイッチ QL
        9. 7.2.2.9  スナバ部品
        10. 7.2.2.10 Vout プログラミング
        11. 7.2.2.11 入力電流制限 (ILIM/IMON)
        12. 7.2.2.12 UVLO ディバイダ
        13. 7.2.2.13 ソフト スタート
        14. 7.2.2.14 CFG の設定
        15. 7.2.2.15 出力コンデンサ COUT
        16. 7.2.2.16 入力コンデンサ Cin
        17. 7.2.2.17 ブートストラップ コンデンサ
        18. 7.2.2.18 VCC コンデンサ CVCC
        19. 7.2.2.19 バイアス コンデンサ
        20. 7.2.2.20 VOUT コンデンサ
        21. 7.2.2.21 ループ補償
      3. 7.2.3 アプリケーション曲線
        1. 7.2.3.1 効率
        2. 7.2.3.2 定常状態波形
        3. 7.2.3.3 ステップ負荷応答
        4. 7.2.3.4 同期動作
        5. 7.2.3.5 AC ループ応答曲線
        6. 7.2.3.6 熱性能
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 ドキュメントのサポート
      1. 8.1.1 関連資料
    2. 8.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 8.3 サポート・リソース
    4. 8.4 商標
    5. 8.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 8.6 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

7.2.2.17 ブートストラップ コンデンサ

HBx ピンと SWx ピンとの間のブートストラップ コンデンサは、各サイクルのターンオン時にハイサイド MOSFET デバイスを充電するためのゲート電流を供給するとともに、ブートストラップ ダイオードの回復電荷を供給します。これらの電流のピークは、数アンペアです。ブートストラップ コンデンサの推奨値は 0.1μF です。CBST には、高品質で ESR の低いセラミック コンデンサを使用します。配線のインダクタンスから引き起こされる過渡電圧による損傷の可能性を最小限に抑えるため、CBST はデバイスのピンの近くに配置してください。ブートストラップ コンデンサの最小値は次のように計算されます。

式 81. CBST=QGΔVBST

ここで、

  • QG は、VCC = 5V 時のハイサイド MOSFET のゲート電荷です。
  • Δ VBST は、CBST で許容される電圧ドループで、控えめにみて、一般に VCC の 5% または 0.15V 未満です。

この例では、ブートストラップ コンデンサの値 (CBST) は 0.1µF です。