JAJU847B april   2021  – april 2023

 

  1.   概要
  2.   リソース
  3.   特長
  4.   アプリケーション
  5.   5
  6. 1システムの説明
  7. 2システム概要
    1. 2.1 ブロック図
    2. 2.2 設計上の考慮事項
    3. 2.3 主な使用製品
      1. 2.3.1 LMG342xR030
      2. 2.3.2 TMS320F28002x
      3. 2.3.3 OPA607
      4. 2.3.4 UCC21222
  8. 3ハードウェアのテスト要件とテスト結果
    1. 3.1 ハードウェア要件
    2. 3.2 テスト構成
    3. 3.3 テスト結果
      1. 3.3.1 テスト手順
      2. 3.3.2 性能データ：効率、iTHD、力率
      3. 3.3.3 機能波形
        1. 3.3.3.1 電流検出と保護
        2. 3.3.3.2 電力段のスタートアップ波形と入力波形
        3. 3.3.3.3 AC 電圧降下テスト
        4. 3.3.3.4 サージ・テスト
        5. 3.3.3.5 EMI テスト
      4. 3.3.4 温度テスト
      5. 3.3.5 GaN FET のスイッチング波形
  9. 4設計とドキュメントのサポート
    1. 4.1 設計ファイル
      1. 4.1.1 回路図
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 ドキュメントのサポート
    3. 4.3 サポート・リソース
    4. 4.4 商標
  10. 5著者について
  11. 6改訂履歴

3.3.3.4 サージ・テスト

この設計では、ACL と ACN の間の雷サージ・テストを実施しました。図 3-14 に、EUT が接続されていないときの 3kV ライン対中性点サージ電圧波形を示します。


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図 3-14 サージ電圧波形

このサージ波形を使用して、入力電流と PFC チョーク電流 (GaN FET を流れる電流と同じ) をテストしました。結果は、サージ電流が突入ダイオードによって完全にバイパスされ、GaN FET にはリスクがないことを示しています (図 3-15 を参照)。


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図 3-15 GaN FET、サージ・テストでのチョーク電流

MOSFET を流れるサージ電流は脅威になります。図 3-16 に示すテスト波形では、3kV サージ下の電流が MOSFET の最大ピーク電流仕様を超えています。


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図 3-16 MOSFET を流れるサージ電流

実験は、電力段は ±3kV のサージに耐えられますが、MOSFET レッグは -4kV のサージで破損することを示しています。図 3-17 および図 3-18 に、±3kV のサージ波形を示します。


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図 3-17 +3kV、90 度でのサージ・テスト

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図 3-18 -3kV、90 度でのサージ・テスト