JAJU912 November 2023
LMG3422R030 では、目的のスルーレートを得るためにデバイスの駆動強度を調整できるため、スイッチング損失とノイズ結合を柔軟に最適化できます。一般に、スルーレートが高いとスイッチング損失は小さくなりますが、電圧オーバーシュート、ノイズ結合、 EMI 放射も大きくなる可能性があります。このリファレンス デザインでは、200kΩ 抵抗 (上側の GaN-FET の場合 R9 、下側の GaN-FET の場合 R19 ) を使って、ターンオンのスルーレートを 30V/ns に設定しています。過渡ノイズを除去するため、100pF のコンデンサ (上側の GaN-FET の場合 C8 、下側の GaN-FET の場合 C25) を並列に配置します。LMG3422R030 (『LMG342xR030、ドライバ、保護、温度レポート機能を内蔵した 600V 30mΩ GaN FET』) データシートに記載されているように、ターンオン スルーレートは、それぞれ上側の LMG3422R030 の場合 R9、下側の LMG3422R030 の場合 R19 を変更することで調整できます。このリファレンス デザインでは、絶縁型変調器 AMC1306M05 とデジタル アイソレータ ISO7741 の同相過渡耐性 (CMTI) 仕様の標準値を超えないように、スルーレートの最大値を 100V/ns 以下に設定しています。