ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG342xR030 GaN FET を使うと、設計者はパワー エレクトロニクス システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。以下の主な機能は、モーター統合ドライブ アプリケーションの電力効率の向上とシステムの堅牢性の向上に大いに役立ちます。
- ゲート ドライバ内蔵、高速スイッチング、ゼロ逆方向回復電荷を特長とする 600V 30mΩ GaN FET により、IGBT に比べて電力損失を大幅に低減
- 20V/ns~150V/ns の設定可能なスルーレートによるスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
- 高度なパワー マネージメント機能と堅牢な保護機能 (サイクル単位の過電流保護、応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護、内部過熱に対する自己保護、UVLO 監視 / 報告など)
- LMG3422R030 の接合部温度の管理による安全動作領域 (SOA) の最適化に役立つリアルタイム高精度デジタル温度 PWM 出力
- 部品点数とフットプリントの低減に役立つ、デジタル アイソレータまたは電流センサに電力を供給するための内蔵 5V 低ドロップアウト (LDO)
- ハード スイッチング トポロジで JEDEC JEP180 認定済み
- 動作時接合部温度の絶対最大定格:-40℃~150℃