출력 커패시터는 부하 전압 리플을 원활하게 하고, 부하 과도 중에 에너지 소스를 제공하며, MOSFET의 온 시간 동안 부하에 에너지를 공급합니다. 출력 커패시터의 크기를 조정하는 실용적인 방법은 필요한 부하 과도 출력 전압 리플 사양을 기반으로 합니다. 부하 과도 사양은 제어 루프 크로스오버 주파수와 관련이 있습니다. 제어 루프 크로스오버 주파수는 오른쪽 반평면 0 주파수인 1/5로 설정됩니다. 이 크로스오버 주파수는 Equation15를 사용하여 계산됩니다.

Equation15.

이 설계 예에서 부하 과도 사양은 50% 부하 전류(1.5A)에서 100% 부하 전류(3A)까지 부하 과도 상태에서 600mV 이상 오버슈팅하거나 언더슈팅해서는 안 된다는 것을 나타냅니다. Equation16는 지정된 부하 과도 부하 전압 리플 요구 사항을 달성하기 위해 예상 부하 커패시턴스를 계산하는 데 사용됩니다.

Equation16.

여기서

• ΔI_LOAD는 부하 전류 조건의 차이(3A - 1.5A)입니다.
• ΔV_LOAD는 지정된 오버슈트 전압 사양 및 언더슈트 전압 사양입니다.

출력 커패시터는 손상 없이 또는 작동 수명을 크게 단축하지 않고 리플 전류를 처리할 수 있도록 정격이 조정되어 있어야 합니다. 최대 RMS 출력 리플 전류는 Equation17을 이용하여 추정합니다. 세라믹 커패시터의 RMS 리플 전류 정격은 일반적으로 전해 콘덴서에 비해 높습니다. 세라믹 커패시터는 출력 커패시터 뱅크의 총 RMS 전류 등급을 높이는 데 사용됩니다.

Equation17.

이 설계의 경우 200µF 의 총 출력 커패시턴스가 선택됩니다. 캐패시터 뱅크 ESR(R_ESR)은 약 2mΩ으로 추정됩니다. 출력 커패시턴스와 낮은 R_ESR 값은 부하 과도 상태에서 전압 강하를 최소화하는 데 도움이 됩니다.