2 了解 EOS

ESD 產業委員會將電性過壓 [3] 定義為「裝置中的電壓、電流或功耗超出自身的最大限制並立即造成損壞或故障，或造成潛在損壞，從而導致無法預料的使用壽命縮短。」在這些狀況中，過電壓會開啟非預期的電流路徑，例如二極體的正向或反向擊穿，或使積體電路 (IC) 內的氧化物達到崩潰電壓。一旦過電壓開啟非預期的電流路徑，所產生的電流便會造成損壞，包括矽晶熔化、金屬互連的熔融、封裝材料的熱損壞以及接合線熔融，從而導致電氣誘發的物理損壞 (EIPD)。

您可將 EOS 與裝置額定電壓特有的絕對最大額定值相關聯：

• 區域 A：安全操作區。
• 區域 B：無法保證裝置功能或參數規格。儘管預計不會出現物理損壞，但延伸的操作可能存在可靠性問題。
• 區域 C：超過絕對最大額定值，裝置使用壽命會嚴重劣化，且有潛在故障的風險。
• 區域 D：預計會立即遭受物理損壞。

如 圖 1 所示，當裝置運作超出絕對最大額定值時，您應預期會發生問題。這也是為何我們要抑制超過絕對最大額定值的暫態過電壓並加以保護。