NESY031C january   2023  – april 2023 LMQ61460-Q1 , TPS54319 , TPS62088 , TPS82671 , UCC12040 , UCC12050

 

  1.   摘要
  2.   Authors
  3.   3
  4.   什麼是功率密度？
  5.   限制功率密度的因素有哪些？
  6.   限制功率密度的因素：切換損耗
  7.   主要限制因素 1：電荷相關損耗
  8.   主要限制因素 2：反向復原損耗
  9.   主要限制因素 3：開啟和關閉損耗
  10.   限制功率密度的因素：熱性能
  11.   如何打破功率密度障礙
  12.   切換損耗創新
  13.   封裝熱創新
  14.   進階電路板設計創新
  15.   整合式創新
  16.   結論
  17.   其它資源

主要限制因素 2：反向復原損耗

在降壓轉換器中，當低側 MOSFET 本體二極體進行電流傳導，反向復原會在高側 MOSFET 開啟時發生，迫使低側二極體電流快速轉換至高側 MOSFET。在此轉換過程中，需要電流才能將造成直接切換損耗的低側二極體少數電荷移除，詳情參見方程式 4。

方程式 4. E R R = V I N × I L × t R R + V I N × Q R R  

減少二極體反向復原影響的最佳方式之一，是透過最佳化 MOSFET 設計減少儲存電荷 (QRR)，或者縮短或消除上升邊緣失效時間，進而將損耗造成的影響完全抵消。