IGBT 및 SiC 절연 게이트 드라이버 신제품 발표
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2025 년 01 월 29 일
- IGBT 및 SiC MOSFET용 통합 감지 기능을 갖춘 새로운 UCC217xx 제품군 절연 게이트 드라이버로 에너지를 절약하고 고전압 시스템을 보호합니다.
- UCC21530은 4A 소스 및 6A 싱크 피크 전류를 가진 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버로, 동급 최강의 전파 지연과 펄스 폭 왜곡으로 최대 5MHz의 IGBT와 SiC MOSFET를 구동하도록 설계되었습니다.