SN74S1051

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Matriz de terminación de bus de diodo de barrera Schottky de 12 bits

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Bits (#)

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Catalog

Operating temperature range (°C)

0 to 70

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0 to 70

PDIP (N)

181.42 mm² (19.3 mm × 9.4 mm)

SOIC (D)

59.4 mm² (9.9 mm × 6 mm)

SOP (NS)

79.56 mm² (10.2 mm × 7.8 mm)

TSSOP (PW)

32 mm² (5 mm × 6.4 mm)

Designed to Reduce Reflection Noise
Repetitive Peak Forward Current to 200 mA
12-Bit Array Structure Suited for Bus-Oriented Systems

Designed to Reduce Reflection Noise
Repetitive Peak Forward Current to 200 mA
12-Bit Array Structure Suited for Bus-Oriented Systems

This Schottky barrier diode bus-termination array is designed to reduce reflection noise on memory bus lines. This device consists of a 12-bit high-speed Schottky diode array suitable for clamping to V_CC and/or GND.

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*	Hoja de datos	SN74S1051 datasheet (Rev. B)			21/02/2003

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