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TPD1E01B04-Q1

ACTIVO

Diodo de protección ESD para automoción de 0.2 pF, ±3.6 V, 15 kV en encapsulado 0402 para USB

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TPD1E01B04-Q1

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Detalles del producto

Package name DFN-1006 (X1SON) Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 27 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 0.2 Clamping voltage (V) 15 Breakdown voltage (min) (V) 6.4
Package name DFN-1006 (X1SON) Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 27 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 0.2 Clamping voltage (V) 15 Breakdown voltage (min) (V) 6.4
X1SON (DPY) 2 0.6 mm² 1 x 0.6
  • IEC 61000-4-2 level 4 ESD protection
    • ±15-kV contact discharge
    • ±17-kV air gap discharge
  • IEC 61000-4-4 EFT protection
    • 80 A (5/50 ns)
  • IEC 61000-4-5 surge protection
    • 2.5 A (8/20 µs)
  • IO capacitance:
    • 0.20 pF (typical)
    • 0.23 pF (maximum)
  • DC breakdown voltage: 6.4 V (typical)
  • Ultra low leakage current: 10-nA (maximum)
  • Low ESD clamping voltage: 15 V at 16 A TLP
  • Low insertion loss: 20 GHz
  • Supports high speed interfaces up to 20 Gbps
  • Industry standard 0402 footprint
  • AEC-Q101 qualified
    • Device HBM classification level H2
    • Device CDM classification level C5
    • Device operating temperature range: –40°C to +125°C
  • IEC 61000-4-2 level 4 ESD protection
    • ±15-kV contact discharge
    • ±17-kV air gap discharge
  • IEC 61000-4-4 EFT protection
    • 80 A (5/50 ns)
  • IEC 61000-4-5 surge protection
    • 2.5 A (8/20 µs)
  • IO capacitance:
    • 0.20 pF (typical)
    • 0.23 pF (maximum)
  • DC breakdown voltage: 6.4 V (typical)
  • Ultra low leakage current: 10-nA (maximum)
  • Low ESD clamping voltage: 15 V at 16 A TLP
  • Low insertion loss: 20 GHz
  • Supports high speed interfaces up to 20 Gbps
  • Industry standard 0402 footprint
  • AEC-Q101 qualified
    • Device HBM classification level H2
    • Device CDM classification level C5
    • Device operating temperature range: –40°C to +125°C

The TPD1E01B04-Q1 is a bidirectional TVS ESD protection diode for USB Type-C and FPD-Link circuit protection. The TPD1E01B04-Q1 is rated to dissipate ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Level 4).

This device features a 0.20-pF (typical) IO capacitance making it ideal for protecting high-speed interfaces up to 20 Gbps such as USB 3.1 Gen2 and FPD-Link. The low dynamic resistance and low clamping voltage ensure system level protection against transient events.

The TPD1E01B04-Q1 is offered in the industry standard 0402 (DPY) package.

The TPD1E01B04-Q1 is a bidirectional TVS ESD protection diode for USB Type-C and FPD-Link circuit protection. The TPD1E01B04-Q1 is rated to dissipate ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 international standard (Level 4).

This device features a 0.20-pF (typical) IO capacitance making it ideal for protecting high-speed interfaces up to 20 Gbps such as USB 3.1 Gen2 and FPD-Link. The low dynamic resistance and low clamping voltage ensure system level protection against transient events.

The TPD1E01B04-Q1 is offered in the industry standard 0402 (DPY) package.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet TPD1E01B04-Q1 Automotive 0.2-pF, ±3.6-V, ±15-kVESD Protection Diode in 0402 Package datasheet (Rev. A) PDF | HTML 10 dic 2021
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  • RoHS
  • REACH
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  • Acabado de plomo/material de la bola
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  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

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