パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 VQFN (RSM) | 32 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 250 | SMALL T&R |
DRV8306 の特徴
- 6V～38V、トリプル・ハーフブリッジ、3xホール・コンパレータ搭載のゲート・ドライバ
- 絶対最大定格40V
- 12Vおよび24V DCレールに完全最適化
- ハイサイドとローサイドのNチャネルMOSFETを駆動
- 100%のPWMデューティ・サイクルをサポート
- スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
- 可変スルーレート制御によりEMI/EMC性能が向上
- VGSハンドシェークおよび最小限のデッドタイム挿入により貫通電流を回避
- 15mA～150mAのピーク・ソース電流
- 30mA～300mAのピーク・シンク電流
- ホール・センサからの整流機能を内蔵
- 120°台形電流制御
- 低コストのホール素子をサポート
- タコ出力信号(FGOUT)による閉ループの速度制御
- ゲート・ドライバ電源を内蔵
- ハイサイドのチャージ・ポンプ
- ローサイドのリニア・レギュレータ
- サイクルごとの電流制限
- 1.8V、3.3V、5Vのロジック入力電圧をサポート
- 低電力スリープ・モード
- リニア電圧レギュレータ、3.3V、30mA
- 小型で占有面積の小さいVQFNパッケージ
- 保護機能を内蔵
- VM低電圧誤動作防止（UVLO）
- チャージ・ポンプ低電圧（CPUV）
- MOSFET過電流保護（OCP）
- ゲート・ドライバ障害（GDF）
- サーマル・シャットダウン(OTSD)
- 障害状況インジケータ（nFAULT）
DRV8306 に関する概要
DRV8306デバイスは、3相ブラシレスDC (BLDC)モータ・アプリケーション用の統合ゲート・ドライバです。このデバイスには、3つのハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバがあり、それぞれがハイサイドとローサイドのNチャネル・パワーMOSFETを駆動できます。DRV8306デバイスは、内蔵のチャージ・ポンプを使用してハイサイドMOSFET用の、リニア・レギュレータを使用してローサイドMOSFET用の、適切なゲート駆動電圧を生成します。スマート・ゲート駆動アーキテクチャは、最大150mAのソースおよび300mAのシンク・ピーク・ゲート駆動電流と、15mAのrmsゲート駆動電流をサポートします。
このデバイスには、台形BLDCモータ用に120°整流機能が内蔵されています。DRV8306デバイスには3つのホール・コンパレータがあり、ホール素子からの入力を使用して内部整流を行います。モータの位相電圧のデューティ・サイクル比は、PWMピンで変更できます。ブレーキ(nBRAKE)および方向(DIR)ピンが用意されており、BLDCモータのブレーキおよび方向設定に使用できます。3.3V、30mAの低ドロップアウト(LDO)レギュレータにより、外部のコントローラとホール素子に給電できます。追加のFGOUT信号が用意されており、整流周波数の測定値を示します。この信号を使用して、BLDCモータの閉ループ制御を実装できます。
低消費電力のスリープ・モードがあり、内部回路のほとんどをシャットダウンして、静止電流を低減できます。低電圧誤動作防止、チャージ・ポンプ障害、MOSFET過電流、MOSFET短絡、ゲート・ドライバ障害、過熱に対する保護機能が内蔵されています。障害状況は、nFAULTピンにより示されます。