パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 HTQFP (PHP) | 48 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 1,000 | LARGE T&R |
DRV8340-Q1 の特徴
- 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み
- 温度グレード 1: -40°C ≤ TA ≤ +125°C
- 3 つの独立したハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
- 専用のソース (SHx) およびドレイン (DLx) ピンにより、独立の MOSFET 制御をサポート
- 3 つのハイサイドと 3 つのローサイドの N チャネル MOSFET (NMOS) を駆動
- スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ
- 調整可能なスルーレート制御
- 1.5mA～1A のピーク・ソース電流
- 3mA～2A のピーク・シンク電流
- ゲート・ドライバのチャージ・ポンプによる 100% デューティ・サイクル
- SPI (S) およびハードウェア (H) インターフェイスを使用可能
- 6x、3x、1x、および独立 PWM モード
- 3.3V と 5 Vのロジック入力電圧をサポート
- チャージ・ポンプ出力を使用して、逆電圧保護 MOSFET を駆動可能
- リニア電圧レギュレータ、3.3V、30mA
- 保護機能内蔵
- VM 低電圧誤動作防止 (UVLO)
- チャージ・ポンプ低電圧 (CPUV)
- バッテリへの短絡 (SHT_BAT)
- グランドへの短絡 (SHT_GND)
- MOSFET 過電流保護 (OCP)
- ゲート・ドライバのフォルト (GDF)
- 熱警告およびシャットダウン (OTW/OTSD)
- 障害状況インジケータ (nFAULT)
DRV8340-Q1 に関する概要
DRV8340-Q1デバイスは、3相アプリケーション用の統合ゲート・ドライバです。このデバイスには、3つのハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバがあり、それぞれがハイサイドとローサイドのNチャネル・パワーMOSFETを駆動できます。専用のソースおよびドレイン・ピンにより、ソレノイド・アプリケーションで独立のMOSFET制御が可能です。DRV8340-Q1 は、内蔵のチャージ・ポンプを使用してハイサイド MOSFET 用の、リニア・レギュレータを使用してローサイド MOSFET 用の、適切なゲート駆動電圧を生成します。スマート・ゲート・ドライブのアーキテクチャは、最大でソース1A、シンク2Aのピーク・ゲート駆動電流をサポートします。DRV8340-Q1は単一電源で動作でき、ゲート・ドライバ用に5.5～60Vの広い入力電源電圧範囲をサポートします。
6x、3x、1x、および独立入力のPWMモードにより、コントローラの回路と簡単に接続できます。ゲート・ドライバとデバイスの構成設定は、SPIまたはハードウェア（H/W）インターフェイスにより細かく変更可能です。
低消費電力のスリープ・モードがあり、静止電流を低減できます。低電圧誤動作防止、チャージ・ポンプのフォルト、MOSFET過電流、MOSFET短絡、位相ノードの電源およびグランドへの短絡、ゲート・ドライバのフォルト、過熱への保護機能が内蔵されています。フォルト状況はnFAULTピンにより通知され、SPIデバイスのバリエーションではデバイスのレジスタにより詳細が通知されます。