パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 LCCC (FFK) | 14 |
| 動作温度範囲 (℃) 25 to 25 |
| パッケージ数量 | キャリア 25 | TUBE |
LMH5401-SP の特徴
- QMLV (QML Class V) MIL-PRF-38535 認定済み、SMD 5962R1721401VXC
- 吸収線量 (TID) 100krad(Si) までの放射線耐性保証 (RHA)
- 単一イベント・ラッチアップ (SEL) 耐性:
LET = 85MeV-cm2/mg - 軍事用温度範囲 (-55℃～125℃) 全体で認定済み
- ゲイン帯域幅積 (GBP): 6.5GHz
- 優れた直線性:
DC～2GHz - スルーレート: 17,500V/µs
- 小さな HD2、HD3 歪み
(500mVPP、100Ω、SE-DE、Gv = 17dB)(1)- 100MHz: HD2で-91dBc、HD3で-95dBc
- 200MHz: HD2で-86dBc、HD3で-85dBc
- 500MHz: HD2で-80dBc、HD3で-80dBc
- 1GHz: HD2で-53dBc、HD3で-70dBc
- 2GHz: HD2で-68dBc、HD3で-56dBc
- 小さな
IMD2、IMD3 歪み
(1VPP、100Ω、SE-DE、Gv = 17dB)(1)- 500MHz: IMD2で-90dBc、IMD3で-79dBc
- 1GHz: IMD2で-80dBc、IMD3で-61dBc
- 2GHz: IMD2で-64dBc、IMD3で-42dBc
- 高いOIP2、OIP3: Gp =
8dB(1)
- 500MHz: OIP2で91dBm、OIP3で47.7dBm
- 1GHz: OIP2で80dBm、OIP3で37.5dBm
- 入力電圧ノイズ: 1.25nV/√Hz
- 入力電流ノイズ: 3.5pA/√Hz
- シングルとデュアルの電源による動作をサポート
- 消費電流: 60mA
- パワーダウン機能 (1)
(1)電力ゲイン (Gp) = 8dB、電圧ゲイン (Gv) = 17dB、RLtotal = 200Ω。詳細については「出力基準ノードおよびゲインの項目表記」セクションを参照してください。
LMH5401-SP に関する概要
LMH5401-SPは、無線周波数(RF)や中間周波数(IF)のアプリケーション、または高速なDC結合の時間領域アプリケーションに対して最適化された、非常に高性能で放射線耐性が強化された差動アンプです。このデバイスは、アナログ/デジタル・コンバータ(ADC)の駆動時に、シングルエンドから差動への(SE-DE)変換を要するDCまたはAC結合アプリケーションに最適です。LMH5401-SPは、SE-DEまたは差動-差動(DE-DE)モードでの動作時に生じる2次/3次歪みを非常に小さく抑えることができます。
このアンプは、SE-DEとDE-DEの両方のシステムに最適化されており、DCから2GHzまでの、比類のない幅広い帯域幅を使用できます。LMH5401-SPは、テストおよび測定、広帯域通信、高速データ収集など広範なアプリケーションにおいて、外部バランなしの信号チェーンでのSE-DE変換に使用できます。
同相基準電圧入力ピンを使用して、アンプの出力同相をADCの入力要件に合わせることができます。3.3V～5Vの電源を選択可能で、必要であればデュアル電源での動作にも対応します。またパワーダウン機能を利用して、消費電力を削減することも可能です。
5V電源を使用した場合、300mWという非常に低い消費電力で優れた性能を実現します。このデバイスはTIの先進的な相補型BiCMOSプロセスで製造され、省スペースながら高い性能を発揮するLCCC-14パッケージで供給されます。