パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 SOIC (D) | 8 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 85 |
| パッケージ数量 | キャリア 95 | TUBE |
LMH6505 の特徴
VS ＝± 5V、TA ＝ 25 °C、RF ＝ 1kΩ、RG ＝ 100Ω、RL ＝ 100Ω、
AV ＝AVMAX ＝ 9.4V/V ( 特記のない限り、代表値)
- –3dB BW . . . 150MHz
- ゲイン制御帯域幅 . . . 100MHz
- 調節範囲( <10MHz) . . . 80dB
- ゲイン・マッチング(リミット値) . . . ± 0.50dB
- 電源電圧範囲 . . . 7V～ 12V
- スルーレート( 反転) . . . 1500V/µs
- 消費電流( 無負荷時) . . . 11mA
- 線形出力電流 . . . ± 60mA
- 出力電圧スイング . . . ± 2.4V
- 入力ノイズ電圧 . . . 4.4 nV/&radic:Hz
- 入力ノイズ電流 . . . 2.6pA/&radic:Hz
- THD (20MHz、RL ＝ 100Ω、VO ＝ 2Vpp) . . . – 45dBc
LMH6505 に関する概要
LMH6505 は、広帯域のDC 結合電圧によるゲイン制御段および高速電流帰還型オペアンプ段で構成され、低インピーダンス負荷 を直接駆動できる能力を備えています。ゲイン調整範囲は最大10MHz に対して80dB で、ゲイン制御入力電圧VG を変えて調整します。
外付け部品で設定される回路の最大ゲインからカットオフ点まで、可変ゲイン・ピンVG に与える電圧でゲインを調整できます。 150MHz 動作時でゲイン制御帯域幅が100MHz 時の消費電力は110mWです。出力オフセット電圧はゲイン制御電圧範囲全体 にわたって55mV 未満です。デバイス間のゲインは最大ゲイン時でも± 0.5dB 以内に整合されています。さらに、ゲインは広範囲 にわたりテストおよび保証されています。出力は、電流帰還型オペアンプによって高い周波数に対して大振幅( スルーレート 1500V/µs) が実現され、大電流負荷(60mA) の駆動を保証しています。ほぼ理想的な入力特性( 低入力バイアス電流、低オフ セット電圧、ピン3 の低抵抗など) により、反転アンプとしても簡単にデバイスを設定できます。
単一電源で動作させる場合に使いやすくするために、VG の電圧範囲はグラウンド・ピン電位( ピン4) に対して0V ～＋ 2V です。 駆動要件を緩和するために、VG 入力インピーダンスは高くなっています。単一電源動作の場合はグラウンド・ピンを電源電圧の 1/2 に接続するため、相対電位での制御となるゲイン制御の汎用性が損なわれることはありません。
LMH6505 は、以下に示すとおり25 °Cの場合に0dB から– 85dBにわたるゲイン制御全域の大半において、dB 直線性(Linear-indB) を実現しています。このため、デバイスはAGCアプリケーションに最適です。なお、リニアなゲイン制御のアプリケーションにはLMH6503 のデータシートを参照してください。
LMH6505 は8ピンSOICまたは8ピンMSOP パッケージとして提供します。外付け部品を最小限に抑えると同時にSO パッケージ を採用しているため、LMH6505 はスペースに制約のあるアプリケーションで使用できます。