BQ2205LY
- Power Monitoring and Switching for Non-Volatile Control of SRAMs
- Input Decoder Allows Control of 1 or 2 Banks of SRAM
- Write-Protect Control
- 3-V Primary Cell Input
- 3.3-V Operation
- Reset Output for System Power-On Reset
- Less than 20-ns Chip Enable Propagation Delay
- Small 16-Lead TSSOP Package
- APPLICATIONS
- NVSRAM Modules
- Point-of-Sale Systems
- Facsimile, Printers and Photocopiers
- Internet Appliances
- Servers
- Medical Instrumentation and Industrial Products
The CMOS bq2205 SRAM non-volatile controller with reset provides all the necessary functions for converting one or two banks of standard CMOS SRAM into non-volatile read/write memory.
A precision comparator monitors the 3.3-V VCC input for an out-of-tolerance condition. When out-of-tolerance is detected, the two conditioned chip-enable outputs are forced inactive to write-protect both banks of SRAM.
Power for the external SRAMs, VOUT, is switched from the VCC supply to the battery-backup supply as VCC decays. On a subsequent power-up, the VOUT supply is automatically switched from the backup supply to the VCC supply. The external SRAMs are write-protected until a power-valid condition exists. The reset output provides power-fail and power-on resets for the system. During power-valid operation, the input decoder, A, selects one of two banks of SRAM.
기술 문서
| 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | bq2205LY SRAM Controller datasheet | 2003/09/25 |
설계 및 개발
추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.
| 패키지 | 핀 | 다운로드 |
|---|---|---|
| TSSOP (PW) | 16 | 옵션 보기 |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.