CSD85302LT 20-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、雙共汲極 LGA 1.35 mm x 1.35 mm、24 mOhm、閘極 ESD 防護 | YME | 4 | -55 to 150 package image

CSD85302LT 現行

20-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、雙共汲極 LGA 1.35 mm x 1.35 mm、24 mOhm、閘極 ESD 防護

現行 custom-reels 客製 可提供客製捲盤

定價

數量 價格
+

額外包裝數量 | 包裝類型選項 這些產品完全相同,但包裝類型不同

CSD85302L 現行 custom-reels 客製 可提供客製捲盤
包裝數量 | 運送包裝 3,000 | LARGE T&R
庫存
數量 | 價格 1ku | +

品質資訊

等級 Catalog
RoHS
REACH
引腳鍍層 / 焊球材質 NIAU
MSL 等級 / 迴焊峰值 Level-1-260C-UNLIM
品質、可靠性
及包裝資訊

內含資訊:

  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 引腳鍍層 / 焊球材質
  • MSL 等級 / 迴焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中可靠性監測
檢視或下載
其他製造資訊

內含資訊:

  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點
檢視

出口分類

*僅供參考

  • 美國 ECCN:EAR99

封裝資訊

封裝 | 引腳 PicoStar (YME) | 4
作業溫度範圍 (°C) -55 to 150
包裝數量 | 運送包裝 250 | SMALL T&R

CSD85302L 的特色

  • Common Drain Configuration
  • Low On-Resistance
  • Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm
  • Pb Free and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • ESD HBM Protection >2.5 kV

CSD85302L 的說明

This 20 V, 18.7 mΩ, 1.35 mm × 1.35 mm LGA Dual NexFET power MOSFET is designed to minimize resistance in the smallest footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery-powered applications in small handheld devices.

定價

數量 價格
+

額外包裝數量 | 包裝類型選項 這些產品完全相同,但包裝類型不同

CSD85302L 現行 custom-reels 客製 可提供客製捲盤
包裝數量 | 運送包裝 3,000 | LARGE T&R
庫存
數量 | 價格 1ku | +

包裝類型選項

您可依零件數量選擇不同包裝類型選項,包含完整捲盤、客製化捲盤、剪切捲帶、承載管或盤。

客製化捲盤是從一個捲盤上剪切下來的連續剪切捲帶,以維持批次和日期代碼可追溯性,依要求剪切至確切數量。依照業界標準,銅墊片會在剪切捲帶兩側連接 18 英吋前後導帶,以直接送至自動組裝機器。針對客製化捲盤訂單,TI 將酌收捲帶封裝費用。

剪切捲帶是從捲盤剪切下來的一段捲帶。TI 可能使用多條剪切捲帶或承載盒,以滿足訂單要求數量。

TI 常以盒裝或管裝、盤裝方式運送承載管裝置,視現有庫存而定。所有捲帶、管或樣本盒之封裝,皆符合公司內部靜電放電與防潮保護包裝要求。

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可提供批次和日期代碼選擇

在購物車中加入數量,並開始結帳流程以檢視可用選項,從現有庫存中選擇批次或日期代碼。

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