DDR 記憶體電源 IC

高密度、高效且符合成本效益

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我們提供廣泛多元的 DDR 終端器產品組合以滿足您的系統需求,並提供線性和切換穩壓器型解決方案供您選擇。DDR VDDQ 和 VTT 裝置具有低內部參考,可調節低 DDR 核心和終端輸出電壓。與標準線性和切換穩壓器相比,DDR 終端器可汲或源終端電流,並具有電流能力與外部參考輸入,以追蹤 VDDQ/2 輸入並產生 VTT 終端軌。

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選擇精選 DDR 電源穩壓器

TPS7H3302-SP
DDR 記憶體電源 IC

抗輻射 QMLP、2.3-V 至 3.5-V 輸入、3-A 汲極和源極 DDR 終端 LDO 穩壓器

TPS7H3302-SEP
DDR 記憶體電源 IC

耐輻射、2.3-V 至 3.5-V 輸入、3-A 汲極和源極 DDR 終端 LDO 穩壓器

技術資源

Application note
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DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A)
了解 DDR 應用中的終端電壓 (VTT)。本應用說明將比較被動和主動 VTT 終端的功率損耗和電壓偏差。
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Technical article
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Improving DDR Memory Performance in Automotive Applications
進一步了解雙數據速率 (DDR) 記憶體如何憑藉在時脈上升和下降邊緣的讀取與寫入能力,在許多電子系統中實現高速與性能。
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Technical article
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Four design tips to obtain 2MHz switching frequency
在此技術文章中,我們將以全新 TPS54116-Q1 DDR 記憶體電源解決方案為例,提供嘗試在 2 MHz 下運作時的重要考量。
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設計與開發資源

開發板
TPS51200 汲極源極 DDR 終端穩壓器

TPS51200EVM 評估板 HPA322A 旨在評估 TI 成本最佳化的 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 終端穩壓器 TPS51200 的性能和特性。TPS51200 旨在為 DDR 記憶體提供適當的終止電壓與 10-mA 緩衝參考電壓,該電壓涵蓋 DDR (2.5 V/1.25 V)、DDR2 (1.8 V/0.9 V)、DDR3 (1.5 V/0.75 V)、LP DDR3 (1.2 V/0.6 V) 規格,且僅需最少外部零組件。

開發板
具有 VTTREF 緩沖參考的 2-A 峰值汲極/源極 DDR 終端穩壓器

TPS51206EVM-745 評估模組 (EVM) 使用 TPS51206。TPS51206 是一款具有 VTTREF 緩衝參考輸出的汲極/源極雙資料速率 (DDR) 終端穩壓器。本裝置專為低輸入電壓、低成本、低外部元件數量系統設計,其中空間是關鍵考量因素。TPS51206EVM-745 旨在爲 DDR 記憶體提供適當的終止電壓和 10-mA 緩衝參考電壓,該電壓涵蓋 DDR2 (0.9VTT)、DDR3 (0.75VTT)、DDR3L (0.675VTT) 和 DDR4 (0.6VTT) 規格,且外部零組件降到最少。

開發板
TPS54116-Q1 車用 DDR 電源解決方案評估模組

This evaluation module is designed to demonstrate the small printed-circuit-board areas that may be achieved when designing with the TPS54116-Q1 regulator. An external divider allows for an adjustable output voltage. The TPS54116-Q1 DC/DC converter is a synchronous buck converter designed to (...)

與DDR 記憶體電源 IC相關的參考設計

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