CSD85302L
- Common Drain Configuration
- Low On-Resistance
- Small Footprint of 1.35 mm × 1.35 mm
- Pb Free and Halogen Free
- RoHS Compliant
- ESD HBM Protection >2.5 kV
This 20 V, 18.7 mΩ, 1.35 mm × 1.35 mm LGA Dual NexFET power MOSFET is designed to minimize resistance in the smallest footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery-powered applications in small handheld devices.
技術文件
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* | Data sheet | CSD85302L 20 V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFET datasheet | PDF | HTML | 2015年 11月 19日 |
Application note | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 2024年 6月 14日 | |
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Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022年 5月 31日 | |
More literature | WCSP Handling Guide | 2019年 11月 7日 | ||
Design guide | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016年 7月 7日 |
設計與開發
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支援軟體
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
計算工具
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體
產品
MOSFET
封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
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PICOSTAR (YME) | 4 | Ultra Librarian |
訂購與品質
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內含資訊:
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